公开(公告)号：CN114465512A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111283413.1

申请日：2021-11-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 户田铁 ,  原田龙男 ,  饭岛大辅 ,  菊地修一 ,  黑田耕太郎

IPC: H02M7/5387 ,  H02M7/5395 ,  H02P27/06

Abstract: 本公开涉及半导体装置和逆变器装置。该逆变器装置包括第一输入端子和第二输入端子、具有耦合在第一输入端子与第二输入端子之间的多个开关元件的串联电路。多个开关元件中的每个开关元件与具有二极管和电感器的串联电路并联耦合。

公开(公告)号：CN108231865A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711263226.0

申请日：2017-12-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  松浦仁 ,  菊地修一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/42312

Abstract: 本公开涉及沟槽栅极IGBT。提供了一种高性能的沟槽栅极IGBT。根据一个实施例的沟槽栅极IGBT包括：半导体衬底(11)；设置在半导体衬底(11)上的沟道层(15)；设置在沟道层(15)两侧的两个浮置P型层(12)，浮置P型层(12)比沟道层(15)深；设置在两个浮置P型层(12)之间的两个发射极沟槽(13)，发射极沟槽(13)分别与浮置P型层(12)接触；设置在两个发射极沟槽(13)之间的至少两个栅极沟槽(14)；和设置在两个栅极沟槽14之间的源极扩散层(19)，源极扩散层(19)与栅极沟槽(14)中的每一个接触。

公开(公告)号：CN108231865B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201711263226.0

申请日：2017-12-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神田良 ,  松浦仁 ,  菊地修一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开涉及沟槽栅极IGBT。提供了一种高性能的沟槽栅极IGBT。根据一个实施例的沟槽栅极IGBT包括：半导体衬底(11)；设置在半导体衬底(11)上的沟道层(15)；设置在沟道层(15)两侧的两个浮置P型层(12)，浮置P型层(12)比沟道层(15)深；设置在两个浮置P型层(12)之间的两个发射极沟槽(13)，发射极沟槽(13)分别与浮置P型层(12)接触；设置在两个发射极沟槽(13)之间的至少两个栅极沟槽(14)；和设置在两个栅极沟槽14之间的源极扩散层(19)，源极扩散层(19)与栅极沟槽(14)中的每一个接触。