半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104600046B

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201410594450.8

    申请日:2014-10-29

    Abstract: 提供了一种半导体器件,包括:第一导电类型的衬底、第一电路区域、分隔区域、第二电路区域和整流元件。整流元件具有:第二导电类型层、第一高浓度第二导电类型区域、第二高浓度第二导电类型区域、元件隔离膜、第一绝缘层和第一导电膜。第一接触耦合至第一高浓度第二导电类型区域,而第二接触耦合至第二高浓度第二导电类型区域。第三接触耦合至第一导电膜。第一接触、第二接触和第三接触彼此分隔开。

Patent Agency Ranking