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公开(公告)号：CN116741774A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310210380.0
申请日：2023-03-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件，改进了包括主MOSFET和感测MOSFET的半导体器件的性能，主MOSFET和感测MOSFET具有双栅极结构，双栅极结构包括在沟槽内的栅极电极和场板电极。包括第二沟槽内的栅极电极和场板电极的主MOSFET和包括第四沟槽内的栅极电极和场板电极的用于电流检测的感测MOSFET分别被不同的终端环围绕。
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