公开(公告)号：CN111697275A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010115370.5

申请日：2020-02-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 太田毅 ,  坚固山洋平

IPC: H01M10/42 ,  H01M10/44 ,  H02J7/00

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件和电池组。为了抑制在电池的长期存放之后的系统关闭的发生。一种半导体器件包括：控制电池单元的充电和放电的控制单元；以及存储指定可以被稳定地提供给设置有电池组的应用系统的电池单元的电源能力的电源能力值的ROM。在电池组从睡眠模式返回之后并且在从系统接收到电源能力值的传输请求之前，控制单元执行将ROM中的电源能力值更新为小于睡眠模式之前的电源能力值的值的电源能力值更新过程。

公开(公告)号：CN109962511A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811565998.4

申请日：2018-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野浩平 ,  太田毅

IPC: H02J7/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，其能够在保持安全性的同时更快地关断放电控制晶体管。在放电停止处理中，控制单元导通开关元件，并且执行第一放电停止模式，在第一放电停止模式中，经由负载撤消放电控制晶体管的栅极电压，并且在预定的放电停止模式切换定时处，控制单元切换至第二放电停止模式，在第二放电停止模式中，直接将放电控制晶体管的栅极电压撤消到低电压电源。

公开(公告)号：CN103681667B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201310410073.3

申请日：2013-09-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 外村文男 ,  石井秀雄 ,  太田毅

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4824 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0211 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0676 ,  H01L29/866 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。第一MOSFET形成在芯片的第一区域中，且第二MOSFET形成在其第二区域中。第一源极端子和第一栅极端子形成在第一区域中。在第二区域中，第二源极端子和第二栅极端子被布置为在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向上对齐。温度检测二极管被布置在第一源极端子和第二源极端子之间。温度检测二极管的第一端子和第二端子在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或基本上与其垂直的第二方向上对齐。

公开(公告)号：CN111697275B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202010115370.5

申请日：2020-02-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 太田毅 ,  坚固山洋平

IPC: H01M10/42 ,  H01M10/44 ,  H02J7/00

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件和电池组。为了抑制在电池的长期存放之后的系统关闭的发生。一种半导体器件包括：控制电池单元的充电和放电的控制单元；以及存储指定可以被稳定地提供给设置有电池组的应用系统的电池单元的电源能力的电源能力值的ROM。在电池组从睡眠模式返回之后并且在从系统接收到电源能力值的传输请求之前，控制单元执行将ROM中的电源能力值更新为小于睡眠模式之前的电源能力值的值的电源能力值更新过程。

公开(公告)号：CN103681667A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310410073.3

申请日：2013-09-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 外村文男 ,  石井秀雄 ,  太田毅

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4824 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0211 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0676 ,  H01L29/866 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。第一MOSFET形成在芯片的第一区域中，且第二MOSFET形成在其第二区域中。第一源极端子和第一栅极端子形成在第一区域中。在第二区域中，第二源极端子和第二栅极端子被布置为在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向上对齐。温度检测二极管被布置在第一源极端子和第二源极端子之间。温度检测二极管的第一端子和第二端子在基本上平行于第一源极端子和第一栅极端子对齐的方向的第一方向上或基本上与其垂直的第二方向上对齐。

公开(公告)号：CN109962511B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201811565998.4

申请日：2018-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野浩平 ,  太田毅

IPC: H02J7/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，其能够在保持安全性的同时更快地关断放电控制晶体管。在放电停止处理中，控制单元导通开关元件，并且执行第一放电停止模式，在第一放电停止模式中，经由负载撤消放电控制晶体管的栅极电压，并且在预定的放电停止模式切换定时处，控制单元切换至第二放电停止模式，在第二放电停止模式中，直接将放电控制晶体管的栅极电压撤消到低电压电源。