-
公开(公告)号：CN117690926A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311111447.1
申请日：2023-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/07 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：半导体衬底；第一绝缘膜，形成在外围区域中的半导体衬底的上表面上，以在平面图中围绕单元区域；以及电阻元件，形成在第一绝缘膜上，以在平面图中围绕单元区域。具有比第一绝缘膜的厚度薄的厚度的第二绝缘膜形成在外围区域中的半导体衬底的上表面上。虚设图案被形成为从第二绝缘膜之上的部分到第一绝缘膜之上的部分，以覆盖第二绝缘膜与第一绝缘膜之间存在的台阶。
Search Results
1
records
(took 0.03 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
