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公开(公告)号：CN114141624A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110941469.5
申请日：2021-08-17
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/8244
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。在半导体层上形成栅极图案并且在半导体层上形成导电膜以覆盖栅极图案。通过对导电膜执行抛光工艺并且图案化抛光后的导电膜，经由侧壁间隔物在栅极图案之间形成焊盘层。
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