数据处理电路
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101951255B

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201010282688.9

    申请日:2007-04-17

    Inventor: 上田和宏

    CPC classification number: H03K19/00384

    Abstract: 本发明涉及数据处理电路,提供一种半导体器件,其包括具有不受电源电压波动影响的电阻特性的电阻元件,以及具有不受电源电压波动影响的期望的输出阻抗特性的信号输出电路。生成基于对应于电路接地电位点的参考电压的恒定电流。恒定电流传至第一电阻元件,该第一电阻元件的一端连接到电源电压端子。由第一电阻元件产生的电压供给到第一差分放大器,且该输出电压供给到第一导电类型的第一MOSFET的栅极,第一MOSFET的源极连接到电源电压端子。第一MOSFET的漏极电压反馈到第一差分放大器的另一输入端子。第一电流源设置在第一MOSFET的漏极和电路的接地电位点之间。第一导电类型的第二MOSFET用作电阻元件,第二MOSFET的源极连接到电源电压端子且其栅极和第一MOSFET的栅极其同连接。

    半导体器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105915778A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201510981639.7

    申请日:2015-12-22

    CPC classification number: H04N5/378 H04N5/347 H04N5/37457 H04N5/23212

    Abstract: 本发明是为了解决下述问题:在成像元件中,需要复杂的控制来读取用于焦点检测的数据。扫描电路在第一时刻之前的期间通过将第一开关和第二开关设置为“断开”,从像素输出第一信号,在所述第一时刻起的预定期间仅将所述第一开关设置为“导通”,从所述像素输出第二信号,并且从所述第一时刻之后的第二时刻起的预定期间通过将所述第一开关和第二开关设置为“导通”,从所述像素输出第三信号。第一AD转换器通过将第二信号和第一信号之间的差值和参考信号进行比较来执行AD转换。第二AD转换器通过将第三信号和第二信号之间的差值和所述参考信号进行比较来执行AD转换。

    半导体器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101059703B

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN200710096452.4

    申请日:2007-04-17

    Inventor: 上田和宏

    CPC classification number: H03K19/00384

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件,其包括具有不受电源电压波动影响的电阻特性的电阻元件,以及具有不受电源电压波动影响的期望的输出阻抗特性的信号输出电路。生成基于对应于电路接地电位点的参考电压的恒定电流。恒定电流传至第一电阻元件,该第一电阻元件的一端连接到电源电压端子。由第一电阻元件产生的电压供给到第一差分放大器,且该输出电压供给到第一导电类型的第一MOSFET的栅极,该第一MOSFET的源极连接到电源电压端子。第一MOSFET的漏极电压反馈到第一差分放大器的另一输入端子。第一电流源设置在第一MOSFET的漏极和电路的接地电位点之间。第一导电类型的第二MOSFET用作电阻元件,该第二MOSFET的源极连接到电源电压端子且其栅极和第一MOSFET的栅极共同连接。

    数据处理电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101951255A

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN201010282688.9

    申请日:2007-04-17

    Inventor: 上田和宏

    CPC classification number: H03K19/00384

    Abstract: 本发明涉及数据处理电路,提供一种半导体器件,其包括具有不受电源电压波动影响的电阻特性的电阻元件,以及具有不受电源电压波动影响的期望的输出阻抗特性的信号输出电路。生成基于对应于电路接地电位点的参考电压的恒定电流。恒定电流传至第一电阻元件,该第一电阻元件的一端连接到电源电压端子。由第一电阻元件产生的电压供给到第一差分放大器,且该输出电压供给到第一导电类型的第一MOSFET的栅极,第一MOSFET的源极连接到电源电压端子。第一MOSFET的漏极电压反馈到第一差分放大器的另一输入端子。第一电流源设置在第一MOSFET的漏极和电路的接地电位点之间。第一导电类型的第二MOSFET用作电阻元件,第二MOSFET的源极连接到电源电压端子且其栅极和第一MOSFET的栅极共同连接。

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