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公开(公告)号：CN105339168B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201480016294.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/20 , B32B27/00 , H01L21/301 , H01L23/00 , H01L23/29
CPC classification number: H01L23/3171 , B32B27/20 , B32B2307/302 , C08K2003/382 , C09J7/405 , C09J133/066 , C09J133/068 , C09J2203/326 , C09J2205/106 , C09J2433/00 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L23/3164 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片(1a)，其具备：在基材(11)上具有粘合剂层(12)的粘合片(10)、以及在该粘合剂层(12)的至少一部分上的由保护膜形成用组合物形成的保护膜形成用膜(20)，其中，所述保护膜形成用组合物含有包含氮化硼粒子(C1)的无机填料(C)，且相对于该保护膜形成用组合物的总量，(C)成分的含量为10～70质量％。所述保护膜形成用复合片(1a)可发挥如下的特别的效果：能够形成散热性及标记性优异的保护膜，并且能够制造可靠性高的带有保护膜的芯片。
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公开(公告)号：CN104838491A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380063150.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C08L63/00 , B32B27/308 , C08G59/4021 , C08G59/4261 , C08K3/36 , C08K5/5435 , C08L33/068 , C08L33/10 , C08L83/04 , C09D133/10 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08L33/06 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325 , C08F2220/1825
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分及(C)填充材料，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，所述保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的至少一面按照JIS Z8741测定的光泽值为20以上。
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公开(公告)号：CN104871310B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201380061840.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/29 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/295 , C08K2003/382 , C09J7/35 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L23/296 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种片材，其能够对所得到的半导体装置赋予散热特性，且在半导体装置的制造工序中不对半导体晶片、芯片实施增加工序数、使工艺复杂的特殊处理，而且该片材的粘接性优异。本发明的芯片用树脂膜形成用片具有支撑片和形成在该支撑片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)、无机填料(C)及硅烷偶联剂(D)，该无机填料(C)含有氮化物粒子(C1)，该硅烷偶联剂(D)的分子量为300以上。
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公开(公告)号：CN104838491B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201380063150.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C08L63/00 , B32B27/308 , C08G59/4021 , C08G59/4261 , C08K3/36 , C08K5/5435 , C08L33/068 , C08L33/10 , C08L83/04 , C09D133/10 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08L33/06 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325 , C08F2220/1825
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分及(C)填充材料，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为‑3℃以上，所述保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的至少一面按照JIS Z8741测定的光泽值为20以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105339168A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480016294.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/20 , B32B27/00 , H01L21/301 , H01L23/00 , H01L23/29
CPC classification number: H01L23/3171 , B32B27/20 , B32B2307/302 , C08K2003/382 , C09J7/405 , C09J133/066 , C09J133/068 , C09J2203/326 , C09J2205/106 , C09J2433/00 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L23/3164 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片(1a)，其具备：在基材(11)上具有粘合剂层(12)的粘合片(10)、以及在该粘合剂层(12)的至少一部分上的由保护膜形成用组合物形成的保护膜形成用膜(20)，其中，所述保护膜形成用组合物含有包含氮化硼粒子(C1)的无机填料(C)，且相对于该保护膜形成用组合物的总量，(C)成分的含量为10～70质量％。所述保护膜形成用复合片(1a)可发挥如下的特别的效果：能够形成散热性及标记性优异的保护膜，并且能够制造可靠性高的带有保护膜的芯片。
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公开(公告)号：CN104838490B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201380063148.3
申请日：2013-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分、(C)填充材料及(D1)硅烷偶联剂，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为‑3℃以上，(D1)硅烷偶联剂的分子量为300以上。
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公开(公告)号：CN104871310A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380061840.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/29 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/295 , C08K2003/382 , C09J7/35 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L23/296 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种片材，其能够对所得到的半导体装置赋予散热特性，且在半导体装置的制造工序中不对半导体晶片、芯片实施增加工序数、使工艺复杂的特殊处理，而且该片材的粘接性优异。本发明的芯片用树脂膜形成用片具有支撑片和形成在该支撑片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)、无机填料(C)及硅烷偶联剂(D)，该无机填料(C)含有氮化物粒子(C1)，该硅烷偶联剂(D)的分子量为300以上。
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公开(公告)号：CN104838490A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380063148.3
申请日：2013-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C08L63/00 , B32B27/308 , B32B2457/14 , C08G59/4021 , C08K3/36 , C08K5/5435 , C08L33/068 , C08L83/04 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , C08L33/06 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F2220/325 , C08F2220/1825 , C09D133/068
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分、(C)填充材料及(D1)硅烷偶联剂，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，(D1)硅烷偶联剂的分子量为300以上。
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公开(公告)号：CN104838489A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380062132.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/29 , C09D133/14 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/295 , C09D133/068 , C09D133/14 , H01L23/293 , H01L23/3164 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用组合物，其用于形成保护芯片表面的保护膜，该保护膜形成用组合物含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)固化性成分、(C)无机填料，其中，相对于构成(A)丙烯酸类聚合物的全部结构单元，源自含缩水甘油基的单体的结构单元的含量为0～8质量％，且(A)成分的玻璃化转变温度为-3℃以上，(C)成分包含(C1)各向异性形状的氮化硼粒子。通过使用上述保护膜形成用组合物或具有由该组合物形成的保护膜的保护膜形成用片，能够形成散热性及粘接性优异的固化保护膜，可以制造可靠性高的带有保护膜的芯片。
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