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公开(公告)号:CN1985022A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200580009301.X
申请日:2005-03-22
CPC分类号: C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/3405 , H01J37/3444
摘要: 本发明涉及在装着磁控管阴极(CM)的磁控管反应器(1)中于基片(11a)上沉积至少一种的材料,在脉冲方式下离子化的气体的帮助下通过磁控管阴极雾化所述材料蒸发。为了促进形成持续时间短的高电流脉冲同时避免形成电弧以便能有效地离子化雾化蒸气,在对磁控管阴极(CM)施加主电压脉冲之前预电离气体,从而能生成在主电压脉冲(VP)截止后延迟时间(Td)小于5μs的电流脉冲(CP)。
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公开(公告)号:CN100587107C
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200580009301.X
申请日:2005-03-22
CPC分类号: C23C14/35 , C23C14/358 , H01J37/3405 , H01J37/3444
摘要: 本发明涉及在装着磁控管阴极(CM)的磁控管反应器(1)中于基片(11a)上沉积至少一种的材料,在脉冲方式下离子化的气体的帮助下通过磁控管阴极雾化所述材料蒸发。为了促进形成持续时间短的高电流脉冲同时避免形成电弧以便能有效地离子化雾化蒸气,在对磁控管阴极(CM)施加主电压脉冲之前预电离气体,从而能生成在主电压脉冲(VP)截止后衰减时间(Td)小于5μs的电流脉冲(CP)。
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