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公开(公告)号：CN103460797A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201180063944.8
申请日：2011-11-02
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/5203 , H01L51/5209 , H01L51/5215 , H01L51/5221 , H01L51/5225 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管及其制造方法，该有机发光二极管的特征在于，至少依次层叠有阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的有机EL层、和由Ag或Ag的含有率为70质量%以上的合金或者由Al或Al的含有率为70质量%以上的合金形成的阴极导电层，在前述阴极导电层的前述有机EL层侧的表面设置有多个凹部周期性地二维排列而成的二维点阵结构、或者设置有多个凸部周期性地二维排列而成的二维点阵结构，源自有机发光二极管的光的提取波长(nm)与前述二维点阵结构中的前述凹部或前述凸部的中心间的距离p(nm)在表示它们的关系的图中处于用特定的座标(例如A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、A等)依次连接而成的直线包围的区域内，并且前述凹部的深度或前述凸部的高度为12nm以上且180nm以下。根据本发明，可以提供光提取效率优异的有机发光二极管及其制造方法、具备前述有机发光二极管的图像显示装置和照明装置。
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公开(公告)号：CN103460797B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180063944.8
申请日：2011-11-02
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/5203 , H01L51/5209 , H01L51/5215 , H01L51/5221 , H01L51/5225 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及有机发光二极管及其制造方法，该有机发光二极管的特征在于，至少依次层叠有阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的有机EL层、和由Ag或Ag的含有率为70质量%以上的合金或者由Al或Al的含有率为70质量%以上的合金形成的阴极导电层，在前述阴极导电层的前述有机EL层侧的表面设置有多个凹部周期性地二维排列而成的二维点阵结构、或者设置有多个凸部周期性地二维排列而成的二维点阵结构，源自有机发光二极管的光的提取波长(nm)与前述二维点阵结构中的前述凹部或前述凸部的中心间的距离p(nm)在表示它们的关系的图中处于用特定的座标(例如A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、A等)依次连接而成的直线包围的区域内，并且前述凹部的深度或前述凸部的高度为12nm以上且180nm以下。根据本发明，可以提供光提取效率优异的有机发光二极管及其制造方法、具备前述有机发光二极管的图像显示装置和照明装置。
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公开(公告)号：CN104335679A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201280070853.1
申请日：2012-12-26
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L51/5012 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , H01L2251/5369
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管用衬底、有机发光二极管、有机发光二极管用衬底的制造方法、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置，由一种发光材料制作的单色有机发光二极管元件的取光效率高且没有微细凹凸结构的稍微的变化导致取出波长从目标的发光波长偏移的担忧，能够取出从可见光到近红外区域中具有任意的中心波长的具有某种程度扩展的窄波段的光。本发明的有机发光二极管是顶部发光型的有机发光二极管，在衬底上至少依次层叠有：由金属材料构成的反射层、由透明导电材料构成的阳极导电层、包含含有有机发光材料的发光层的有机EL层、层叠了半透射金属层及由透明导电材料构成的透明导电层的阴极导电层，在上述半透射金属层的与上述透明导电层侧相接的面形成有多个凸部周期性地二维排列的二维光栅结构，其中，在上述面形成的凸部中的相邻的凸部间的中心间距离P在将上述面处的以复数表示的表面等离子体激元的传播常数的实部设为k时，上述中心间距离P是式（1）的范围的值，上述式（1）中的P0在作为上述二维光栅结构而形成三角光栅结构时满足下式（2），在作为上述二维光栅结构而形成正方光栅结构时满足下式（3）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633299B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610215116.6
申请日：2012-12-26
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管用衬底、有机发光二极管、有机发光二极管用衬底的制造方法、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置，由一种发光材料制作的单色有机发光二极管元件的取光效率高且没有微细凹凸结构的稍微的变化导致取出波长从目标的发光波长偏移的担忧，能够取出从可见光到近红外区域中具有任意的中心波长的具有某种程度扩展的窄波段的光。本发明的有机发光二极管是顶部发光型的有机发光二极管，在衬底上至少依次层叠有：由金属材料构成的反射层、由透明导电材料构成的阳极导电层、包含含有有机发光材料的发光层的有机EL层、层叠了半透射金属层及由透明导电材料构成的透明导电层的阴极导电层，在上述半透射金属层的与上述透明导电层侧相接的面形成有多个凸部周期性地二维排列的二维光栅结构，其中，在上述面形成的凸部中的相邻的凸部间的中心间距离P在将上述面处的以复数表示的表面等离子体激元的传播常数的实部设为k时，上述中心间距离P是式（1）的范围的值，上述式（1）中的P0在作为上述二维光栅结构而形成三角光栅结构时满足下式（2），在作为上述二维光栅结构而形成正方光栅结构时满足下式（3）。
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公开(公告)号：CN104335679B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280070853.1
申请日：2012-12-26
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L51/5012 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , H01L2251/5369
Abstract: H05B 33/24(2006.01)(56)对比文件JP 特开2006-313667 A,2006.11.16,US 7267891 B2,2007.09.11,JP 特开2009-158478 A,2009.07.16,CN 101540373 A,2009.09.23,
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公开(公告)号：CN103765987A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042109.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0017 , H01L51/5036 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L51/5234 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H05B33/02 , H05B33/10 , Y10T428/24479
Abstract: 第一方式的有机发光二极管的制造方法的特征在于，其具备下述工序：通过以颗粒单层膜作为蚀刻掩模的干蚀刻法制作在表面设置有多个凹凸二维排列而成的凹凸结构的基板；和在该凹凸结构上至少层叠阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的EL层、和具有金属层的阴极导电层，以便在该金属层的前述EL层侧的表面复印该凹凸结构，使用粒径不同的多种颗粒的混合物形成该颗粒单层膜，设置满足下述条件(A)和(B)的凹凸结构，条件(A)：平均高度为15nm以上且150nm以下，条件(B)：高度分布的光谱强度在波数的绝对值｜k｜处于下式(I)所示的全部范围内具有有限的值，并且光谱强度在该范围内的积分值具有占光谱强度在全部波数区域内的积分值的35%以上的值。εm(λ)表示构成前述金属层的金属的相对介电常数。εd(λ)表示前述EL层的等效相对介电常数。λmax表示提取波长的最大值，λmin表示提取波长的最小值。Re[]表示复数的实部。
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公开(公告)号：CN105633299A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610215116.6
申请日：2012-12-26
Applicant: 王子控股株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L51/5012 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L51/5271 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , H01L2251/5369
Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管用衬底、有机发光二极管、有机发光二极管用衬底的制造方法、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置，由一种发光材料制作的单色有机发光二极管元件的取光效率高且没有微细凹凸结构的稍微的变化导致取出波长从目标的发光波长偏移的担忧，能够取出从可见光到近红外区域中具有任意的中心波长的具有某种程度扩展的窄波段的光。本发明的有机发光二极管是顶部发光型的有机发光二极管，在衬底上至少依次层叠有：由金属材料构成的反射层、由透明导电材料构成的阳极导电层、包含含有有机发光材料的发光层的有机EL层、层叠了半透射金属层及由透明导电材料构成的透明导电层的阴极导电层，在上述半透射金属层的与上述透明导电层侧相接的面形成有多个凸部周期性地二维排列的二维光栅结构，其中，在上述面形成的凸部中的相邻的凸部间的中心间距离P在将上述面处的以复数表示的表面等离子体激元的传播常数的实部设为k时，上述中心间距离P是式（1）的范围的值，上述式（1）中的P0在作为上述二维光栅结构而形成三角光栅结构时满足下式（2），在作为上述二维光栅结构而形成正方光栅结构时满足下式（3）。
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公开(公告)号：CN103765987B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280042109.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 王子控股株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0017 , H01L51/5036 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L51/5234 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H05B33/02 , H05B33/10 , Y10T428/24479
Abstract: 第一方式的有机发光二极管的制造方法的特征在于，其具备下述工序：通过以颗粒单层膜作为蚀刻掩模的干蚀刻法制作在表面设置有多个凹凸二维排列而成的凹凸结构的基板；和在该凹凸结构上至少层叠阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的EL层、和具有金属层的阴极导电层，以便在该金属层的前述EL层侧的表面复印该凹凸结构，使用粒径不同的多种颗粒的混合物形成该颗粒单层膜，设置满足下述条件(A)和(B)的凹凸结构，条件(A)：平均高度为15nm以上且150nm以下，条件(B)：高度分布的光谱强度在波数的绝对值｜k｜处于下式(I)所示的全部范围内具有有限的值，并且光谱强度在该范围内的积分值具有占光谱强度在全部波数区域内的积分值的35%以上的值。εm(λ)表示构成前述金属层的金属的相对介电常数。εd(λ)表示前述EL层的等效相对介电常数。λmax表示提取波长的最大值，λmin表示提取波长的最小值。Re[]表示复数的实部。
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