一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法

    公开(公告)号:CN108229023A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201810005281.8

    申请日:2018-01-03

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种高频GaN开关器件缓冲电路设计方法,其技术方案要点是:首先,建立开关器件的双脉冲测试电路,建立电路的高频等效模型,然后得到高频等效电路的复数域公式,得到高频GaN开关器件两端电压的特征方程。可以采用两种方式来得到缓冲电路的值,一种是固定吸收电阻RS,以吸收电容CS为参变量,根据式特征方程画出缓冲电容CS的参数根轨迹,选取特征方程的根都为实数的对应的电容CS的值作为吸收电容的值;另一种是固定吸收电容CS,以缓冲电阻RS为参变量,根据特征方程画出缓冲电阻RS的参数根轨迹,选取特征方程的根都为实数的对应的电阻RS的值作为吸收电容的值。本发明解决了传统缓冲电路设计过程过于复杂的问题。

    一种三相多电平逆变器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109120177A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201811310493.3

    申请日:2018-11-06

    Applicant: 燕山大学

    CPC classification number: H02M7/483 H02M1/38 H02M7/53875

    Abstract: 本发明公开了一种三相多电平逆变器,所述三相多电平逆变器包括两个直流侧滤波电容和一个三相桥臂;每相桥臂包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、中间开关器件、第一钳位管、第二钳位管、第一电感和第二电感;本发明的三相多电平逆变器在每相桥臂额外引入一个中间开关器件,不仅为所述第一电感和所述第二电感的电流续流提供了通道,而且避免了桥臂直通现象,因此开关驱动信号无需死区时间,不存在死区引起的输出波形畸变的问题,提高了系统可靠性。

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