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公开(公告)号：CN113003531B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110183254.1
申请日：2021-02-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本文公开一种实现频率调控的装置，本发明实施例包括：微球腔、固定结构、光纤、三维位移平移台和控制器；其中，微球腔的连接支柱水平连接于一固定结构；光纤的第一端与三维位移平移台的压电陶瓷连接；光纤的纤芯与微球腔的连接支柱平行；控制器调控共振频率时，光纤的第二端与微球腔的顶点接触；控制器通过控制施加于压电陶瓷上的电压，控制经由光纤施加于微球腔的压力，以进行微球腔共振频率的调控；其中，第二端的端面为平整的截面；顶点为微球腔距离第二端最近的点。本发明实施例实现了微球腔的机械模式的共振频率调控。
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公开(公告)号：CN113526458B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010299877.0
申请日：2020-04-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法，步骤如下：取一片硅片，硅片表面为二氧化硅氧化层，使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法，在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形；其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀，得到微盘腔；最后将微盘腔表面光刻胶去除，并使用激光器对其进行热回流，完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀，提高了各向同性，使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备，在1550nm波段实现了108以上的品质因子，这与相关报道中的品质因子相当。本发明同时还具备成本低、刻蚀设备简单、维护容易、对温湿度鲁棒性好等优点。
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公开(公告)号：CN113526458A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010299877.0
申请日：2020-04-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法，步骤如下：取一片硅片，硅片表面为二氧化硅氧化层，使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法，在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形；其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀，得到微盘腔；最后将微盘腔表面光刻胶去除，并使用激光器对其进行热回流，完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀，提高了各向同性，使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备，在1550nm波段实现了108以上的品质因子，这与相关报道中的品质因子相当。本发明同时还具备成本低、刻蚀设备简单、维护容易、对温湿度鲁棒性好等优点。
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公开(公告)号：CN113003531A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110183254.1
申请日：2021-02-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本文公开一种实现频率调控的装置，本发明实施例包括：微球腔、固定结构、光纤、三维位移平移台和控制器；其中，微球腔的连接支柱水平连接于一固定结构；光纤的第一端与三维位移平移台的压电陶瓷连接；光纤的纤芯与微球腔的连接支柱平行；控制器调控共振频率时，光纤的第二端与微球腔的顶点接触；控制器通过控制施加于压电陶瓷上的电压，控制经由光纤施加于微球腔的压力，以进行微球腔共振频率的调控；其中，第二端的端面为平整的截面；顶点为微球腔距离第二端最近的点。本发明实施例实现了微球腔的机械模式的共振频率调控。
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