公开(公告)号：CN117879568A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311726506.6

申请日：2023-12-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 黄凯 ,  王玉磊 ,  郑丹丹 ,  蒋小文

IPC: H03K17/687 ,  H03M1/06 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明公开一种栅压自举的CMOS互补开关结构，包括：并联连接的NMOS开关和PMOS开关，以及分别连接所述NMOS开关和PMOS开关的NMOS开关栅极电压自举环路和PMOS开关栅极电压自举环路；还包括时钟倍增模块，时钟倍增模块根据时钟信号提供驱动电压给所述NMOS开关栅极电压自举环路和PMOS开关栅极电压自举环路，两个栅极电压自举环路则根据驱动电压产生对应的自举电压来控制所述NMOS开关和PMOS开关的关断或导通。相较于单个NMOS自举采样开关而言，本发明结构有效降低了最终的等效电阻值，同时降低了单个NMOS自举采样开关由于衬底偏置效应导致的电阻随输入信号增大而导致的变化幅度较大的问题。

公开(公告)号：CN117978173A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311806904.9

申请日：2023-12-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 黄凯 ,  王玉磊 ,  郑丹丹 ,  蒋小文

IPC: H03M1/46 ,  H03K5/13 ,  H03K5/01 ,  H03K5/24

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，涉及一种延时可控的异步SAR型ADC时序发生电路，包括：控制器、偏置电流产生单元、延时产生单元和时钟发生单元；所述控制器根据比较器触发动作的要求，通过计数检测出延时大小并产生相应控制信号；所述偏置电流产生单元根据控制信号产生延时产生单元所需的充放电电流，所述延时产生单元采用电容型DAC，产生所需的电容电压输出模拟信号；所述时钟发生单元将电压输出模拟信号通过施密特触发器进行波形整形输出，并将输出结果反馈以控制电容的充电或放电，最终产生符合比较器触发动作要求的时钟周期。本发明延时控制精确，可以保证时间的充分利用，具有自适应功能，以及抗工艺、电源、温度波动影响的特性。