公开(公告)号：CN110560188B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201910884375.1

申请日：2019-09-19

Applicant: 济南大学

Inventor： 魏琴 ,  冯金慧 ,  韩冬雪 ,  吴丹 ,  牛利 ,  马洪敏 ,  王雪莹 ,  王丹丹

IPC: B01L3/00

Abstract: 本发明公开了一种合成Ag/Ag2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片的制备方法。本发明针对现有合成纳米材料技术的不足，公开了一种合成Ag/Ag2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片，其中设置有CdS微液滴形成区，CdS纳米颗粒混合反应区，Ag2S/CdS微液滴形成区，Ag2S/CdS异质结混合反应区，Ag/Ag2S/CdS形成区，实现了微流控芯片对纳米复合材料合成的有效控制。本发明设计的多级进样微流控芯片结构优化，操作方便，实现了分步进样，能够合成分散性好，尺寸大小均匀的纳米复合材料。另外，多级进样可以实现不同浓度，不同比例的进样，从而实现不同尺寸和性能纳米复合材料的成功制备。

公开(公告)号：CN110560188A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910884375.1

申请日：2019-09-19

Applicant: 济南大学

Inventor： 魏琴 ,  冯金慧 ,  韩冬雪 ,  吴丹 ,  牛利 ,  马洪敏 ,  王雪莹 ,  王丹丹

IPC: B01L3/00

Abstract: 本发明公开了一种合成Ag/Ag2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片的制备方法。本发明针对现有合成纳米材料技术的不足，公开了一种合成Ag/Ag2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片，其中设置有CdS微液滴形成区，CdS纳米颗粒混合反应区，Ag2S/CdS微液滴形成区，Ag2S/CdS异质结混合反应区，Ag/Ag2S/CdS形成区，实现了微流控芯片对纳米复合材料合成的有效控制。本发明设计的多级进样微流控芯片结构优化，操作方便，实现了分步进样，能够合成分散性好，尺寸大小均匀的纳米复合材料。另外，多级进样可以实现不同浓度，不同比例的进样，从而实现不同尺寸和性能纳米复合材料的成功制备。