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公开(公告)号:CN115509023B
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202211318037.X
申请日:2022-10-26
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于偏振门成像技术领域,提出了一种去相干偏振门成像装置及方法,包括沿光路方向依次设置的起偏器、检偏器以及弱散射介质;本发明中,在采用单光束成像光路的基础上,在检偏器后引入弱散射介质,增加了透射光的出射角度以及透射光的偏振方向,进而降低了透射光的相干性,克服了传统偏振门成像装置中,泄露散射光子在成像面形成的散斑的部分影响,抑制了成像中的散斑,成像对比度更高,系统分辨率也更高;在混浊介质内部目标物体成像时,无需引入更多的光学器件,即可保证成像质量,这保证了门选通结构的简洁性,有助于该门结构的推广与应用。
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公开(公告)号:CN115509023A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202211318037.X
申请日:2022-10-26
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明属于偏振门成像技术领域,提出了一种去相干偏振门成像装置及方法,包括沿光路方向依次设置的起偏器、检偏器以及弱散射介质;本发明中,在采用单光束成像光路的基础上,在检偏器后引入弱散射介质,增加了透射光的出射角度以及透射光的偏振方向,进而降低了透射光的相干性,克服了传统偏振门成像装置中,泄露散射光子在成像面形成的散斑的部分影响,抑制了成像中的散斑,成像对比度更高,系统分辨率也更高;在混浊介质内部目标物体成像时,无需引入更多的光学器件,即可保证成像质量,这保证了门选通结构的简洁性,有助于该门结构的推广与应用。
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公开(公告)号:CN119602072A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202411492467.2
申请日:2024-10-24
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开一种单光束光场稳定性检测装置及方法,涉及激光技术领域;而本发明包括半导体激光器、He‑Ne激光器和飞秒激光器,半导体激光器、He‑Ne激光器和飞秒激光器的发射光路上设有反射镜、扩束镜、衰减片、散射介质、胶合透镜、CCD相机和用于图像信息提取的电脑,半导体激光器放在反射镜前作为待测光场;本发明中,通过采用散射介质对待测光束进行稳定扰动,简化了光学结构,提高了测量效率,通过CCD相机的高速采集和长时间监测,能够实时、准确地反映半导体激光场的稳定性变化,通过检测装置和方法,具有操作简便、成本低廉、适用范围广等优点,可广泛应用于半导体激光器生产、检测、科研领域以及其他类型光场稳定性检测的场合。
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