公开(公告)号：CN109167589A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201811080073.0

申请日：2018-09-17

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 王海滨 ,  戴茜茜 ,  王杨圣 ,  刘智 ,  陆传荣 ,  孙洪文 ,  罗成名 ,  张杰

IPC: H03K3/013 ,  H03K3/3562

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子效应的触发器，维持了双互锁单元在各种工艺下原有的电路拓扑结构和晶体管尺寸，在版图上基于双互锁主从型触发器各节点的敏感性分析进行重新布局，将NMOS/PMOS存储信息相同的漏端进行节点分离，防止两位相同存储信息一同发生错误造成双互锁单元翻转，将信息存储不同的同PMOS/NMOS型晶体管共源极相邻放置，在粒子入射影响时利用双互锁设计本身的电路连接特性抑制单粒子翻转，使敏感节点上由单粒子效应导致的额外电荷的影响有所抵消，并且将主从锁存器的晶体管以锯齿状的形式放置，将同步打击局限在狭窄的入射角度内，限制了主从锁存器多位存储节点同时被打中的情况。