-
公开(公告)号：CN119364997A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411513039.3
申请日：2024-10-28
Applicant: 河南大学
IPC: H10K50/165 , H10K50/115 , H10K71/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种ZnO基纳米掺杂材料及其制备方法和QLED器件。本发明的ZnO基纳米掺杂材料，包括ZnO以及掺杂在ZnO中的镧系元素；所述镧系元素为Nd、Gd、Eu、Er中的任意一种；所述镧系元素在ZnO基纳米掺杂材料中的物质的量占比为1～15％。本发明通过掺杂手段来调控能级位置，增加电子注入势垒，降低载流子迁移率，削弱电子传输能力，可以改善电子传输多于空穴的载流子注入不平衡问题，减少量子点充电，有效增加辐射复合效率，提高器件寿命，从而制备出高性能的QLED器件。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
