公开(公告)号：CN103014654A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210576237.5

申请日：2012-12-27

Applicant: 沈阳工程学院

Inventor： 赵琰 ,  张东 ,  王存旭 ,  韩希昌 ,  尹常永 ,  迟新利 ,  邓玮 ,  赵丹 ,  高庆忠 ,  王刚 ,  张玉燕 ,  林盛

IPC: C23C16/30 ,  H03H9/64

Abstract: 本发明属于压电薄膜材料领域，具体涉及一种AlN/ZnO/InGaN/金刚石/Si多层结构声表面波滤波器件的制备方法。本发明方法是将Si基片清洗后送入热丝化学气相沉积反应室中，在Si基片上沉积100-300nm厚的金刚石膜，送入金属有机化合物化学气相沉淀反应室中，反应室中通入三甲基铟、三甲基镓和氮气，在金刚石/Si基片上沉积厚度为20-100nm的InGaN薄膜，然后向反应室内同时通入携带二乙基锌的氩气和氧气，在InGaN/金刚石/Si基片上沉积20-100nm厚ZnO膜，最终向反应室中通入三甲基铝和氮气，得到AlN/ZnO/InGaN/金刚石/Si多层结构声表面波滤波器件。本发明方法首先在Si基片衬底上沉积制备金刚石薄膜，以有高C轴择优取向的纳米ZnO和InGaN薄膜作为缓冲层，沉积制备平整光滑、结晶度好的高C轴择优取向的优质AlN纳米压电薄膜。

公开(公告)号：CN103014654B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210576237.5

申请日：2012-12-27

Applicant: 沈阳工程学院

Inventor： 赵琰 ,  张东 ,  王存旭 ,  韩希昌 ,  尹常永 ,  迟新利 ,  邓玮 ,  赵丹 ,  高庆忠 ,  王刚 ,  张玉燕 ,  林盛

IPC: C23C16/30 ,  H03H9/64

Abstract: 本发明属于压电薄膜材料领域，具体涉及一种AlN/ZnO/InGaN/金刚石/Si多层结构声表面波滤波器件的制备方法。本发明方法是将Si基片清洗后送入热丝化学气相沉积反应室中，在Si基片上沉积100-300nm厚的金刚石膜，送入金属有机化合物化学气相沉淀反应室中，反应室中通入三甲基铟、三甲基镓和氮气，在金刚石/Si基片上沉积厚度为20-100nm的InGaN薄膜，然后向反应室内同时通入携带二乙基锌的氩气和氧气，在InGaN/金刚石/Si基片上沉积20-100nm厚ZnO膜，最终向反应室中通入三甲基铝和氮气，得到AlN/ZnO/InGaN/金刚石/Si多层结构声表面波滤波器件。本发明方法首先在Si基片衬底上沉积制备金刚石薄膜，以有高C轴择优取向的纳米ZnO和InGaN薄膜作为缓冲层，沉积制备平整光滑、结晶度好的高C轴择优取向的优质AlN纳米压电薄膜。