公开(公告)号：CN102020320B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201010617093.4

申请日：2010-12-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 黄思玉 ,  刘心宇

IPC: C01G51/00

Abstract: 本发明为一种二硫化钴的合成方法，步骤如下：取一定量的金属钴粉置于一个一端封闭、中部弯曲的石英管中；在石英管另一端装入一个事先压紧硫磺粉末的且一端封闭的小石英管，所述硫磺用量为理论用量的1-1.5倍；将上述石英管高温真空封闭，然后将该石英管置于管式扩散炉中，金属钴粉端在450~700℃，硫磺端在200~440℃条件下热处理5~50小时；冷却至室温后粉碎至200目，得钴硫化合物粗制品；将初步所得到的钴硫化物粗制品，置于一根新的一端封闭、中部弯曲的石英管中，重复上述步骤,冷却至室温，即得到二硫化钴。经过二次硫化处理得到的二硫化钴纯度大于99%。本发明方法相对于现有技术更安全、环保、快速，并可以较大量并安全地制备二硫化钴，降低生产成本。

公开(公告)号：CN102020320A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010617093.4

申请日：2010-12-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  黄思玉

IPC: C01G51/00

Abstract: 本发明为一种二硫化钴的合成方法，步骤如下：取一定量的金属钴粉置于一个一端封闭、中部弯曲的石英管中；在石英管另一端装入一个事先压紧硫磺粉末的且一端封闭的小石英管，所述硫磺用量为理论用量的1-1.5倍；将上述石英管高温真空封闭，然后将该石英管置于管式扩散炉中，金属钴粉端在450~700℃，硫磺端在200~440℃条件下热处理5~50小时；冷却至室温后粉碎至200目，得钴硫化合物粗制品；将初步所得到的钴硫化物粗制品，置于一根新的一端封闭、中部弯曲的石英管中，重复上述步骤,冷却至室温，即得到二硫化钴。经过二次硫化处理得到的二硫化钴纯度大于99%。本发明方法相对于现有技术更安全、环保、快速，并可以较大量并安全地制备二硫化钴，降低生产成本。

公开(公告)号：CN201942516U

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201020693106.1

申请日：2010-12-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  黄思玉

IPC: C01B17/20

Abstract: 一种合成硫化物的装置，一种合成硫化物的装置，包括多段控温马弗炉、石英管本体，其特征是，石英管本体中部设置成弧形或倒“V”字形管，石英管的两端都封闭，其中一端为硫-金属的气固高温反应区，另一端为硫低温气化区。本实用新型的优点是：用于合成金属硫化物时安全、简单、实用，并能够批量生产。