公开(公告)号：CN101893683A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010229048.1

申请日：2010-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁纵横 ,  范刚 ,  熊显名 ,  张丽娟 ,  宋美杰

IPC: G01R31/28 ,  G01B11/02

Abstract: 本发明公开一种基于相移电子散斑干涉技术预测集成电路工作寿命的方法，通过相移电子散斑干涉技术，测量集成电路试件封装表面在温度加速寿命试验下的封装表面离面位移变化规律，确定失效点，并根据失效点离面位移量和温度曲线关系计算失效激活能，最后根据建立的寿命预测模型对其寿命进行预测。该方法可在测量集成电路试件芯片表面位移的同时测量整个表面的信息，并可实现在线连续检测，同时测量更加准确。

公开(公告)号：CN101893683B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010229048.1

申请日：2010-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁纵横 ,  范刚 ,  熊显名 ,  张丽娟 ,  宋美杰

IPC: G01R31/28 ,  G01B11/02

Abstract: 本发明公开一种基于相移电子散斑干涉技术预测集成电路工作寿命的方法，通过相移电子散斑干涉技术，测量集成电路试件封装表面在温度加速寿命试验下的封装表面离面位移变化规律，确定失效点，并根据失效点离面位移量和温度曲线关系计算失效激活能，最后根据建立的寿命预测模型对其寿命进行预测。该方法可在测量集成电路试件芯片表面位移的同时测量整个表面的信息，并可实现在线连续检测，同时测量更加准确。