公开(公告)号：CN116053054A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211705330.1

申请日：2022-12-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐欣圆 ,  徐华蕊 ,  蒋坤朋 ,  赵昀云 ,  张富榕

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/24

Abstract: 本发明公开了一种镍掺杂钼酸锰包覆二硫化钼材料的制备方法及应用，本方法是通过在二硫化钼基体上原位生长金属氧化物前驱体，然后通过煅烧得到目标产物，避免使用粘结剂，从而提高了该复合材料的导电性，弥补了二硫化钼材料易团聚的缺陷；同时采用了镍原子的共掺杂与二硫化钼进行复合，镍原子提供了更多的活性位点，改善了离子电导率，从而提高电极的赝电容，使其发挥出双金属氧化物自身的高电容和高效的循环稳定性的优势，本方法采用常规设备、成本低、资源丰富、环境友好、操作过程简单高效，有利于产业化生产。

公开(公告)号：CN115995349A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211706004.2

申请日：2022-12-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 朱归胜 ,  徐欣圆 ,  徐华蕊 ,  蒋坤朋 ,  赵昀云 ,  张富榕

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明公开了一种MoS2/Co LDHs材料的制备方法及在超级电容器中的应用，本方法是通过一步共沉淀法在二硫化钼基体上原位生长金属氢氧化物，Co LDHs通过ZIF‑67制备方案改良合成，具有原子厚度、丰富氧空位和三维多孔结构层状，具有开放配位的边缘形成了更多的活性中心，同时提高了电子电导率。提供了大比表面积的多孔结构，进一步提高了复合材料的导电性能，并有效改善二硫化钼易团聚、易塌陷的缺陷。本发明方法操作简便有效，合成成本低，具有可观的商业价值。