一种MMA/BMI共聚物有机阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103219464B

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201310155422.1

    申请日:2013-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种MMA/BMI共聚物有机阻变存储器及其制备方法,包括衬底,衬底上的底电极,旋涂于底电极上的共聚物有机阻变存储层和顶电极,其特征是:有机阻变存储层由甲基丙烯酸甲酯(MMA)和双马来酰亚胺(BMI)共聚物有机膜组成。制备时,将制备好的MMA/BMI预聚物溶液旋涂于底电极上,直接在底电极上完成共聚反应得到MMA/BMI共聚物,可以减少底电极与MMA/BMI共聚物有机功能层之间的接触电阻;所得MMA/BMI共聚物有机阻变存储器的性能优异,关态电流小于4nA,开关比高达108,具有良好的稳定性。

    一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法

    公开(公告)号:CN105702860A

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201610201542.4

    申请日:2016-03-31

    CPC classification number: H01L51/0003 H01L51/0026 H01L51/0034

    Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法,所述存储器由基底、底电极、聚酰亚胺功能层和顶电极构成。所述制备方法是将合成聚酰亚胺所用的二元胺和二酐单体按1:1-1.03的比例,在酰胺类溶剂中经缩合聚合得到聚酰胺酸溶液,利用旋涂法将聚酰胺酸涂于氧化铟锡玻璃上得到聚酰胺酸薄膜,随后将聚酰胺酸薄膜亚胺化形成聚酰亚胺功能层,在聚酰亚胺功能层上制备顶电极得到聚酰亚胺阻变存储器。该存储器表现出典型的电双稳态性质,具有良好的电存储性能,开关比大于105,跳变电压约为2V。

    流延法制备合成高分子增强改性淀粉薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103254454A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310176825.4

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 本发明公开了一种流延法制备合成高分子增强改性淀粉薄膜的方法,先将一定比例的淀粉与去离子水制成混合物放入反应器中,在80~95℃的环境下用搅拌器以250~320r/min的转速搅拌,糊化30min~1h,自然冷却到30~60℃;加入5~25份合成高分子水溶液或水乳液,搅拌1~2h;制得的溶液在凹型塑料薄膜模板上均匀地流延平铺成膜,在60~70℃真空干燥箱中烘干即可。本发明制备工艺简单,不需要任何有机小分子添加剂,制得的淀粉薄膜达到了包装薄膜(GB/T4456-1996)对拉伸强度性能的要求,且成本低,可降解,大大减少了白色污染。

    一种MMA/BMI共聚物有机阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103219464A

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201310155422.1

    申请日:2013-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种MMA/BMI共聚物有机阻变存储器及其制备方法,包括衬底,衬底上的底电极,旋涂于底电极上的共聚物有机阻变存储层和顶电极,其特征是:有机阻变存储层由甲基丙烯酸甲酯(MMA)和双马来酰亚胺(BMI)共聚物有机膜组成。制备时,将制备好的MMA/BMI预聚物溶液旋涂于底电极上,直接在底电极上完成共聚反应得到MMA/BMI共聚物,可以减少底电极与MMA/BMI共聚物有机功能层之间的接触电阻;所得MMA/BMI共聚物有机阻变存储器的性能优异,关态电流小于4nA,开关比高达108,具有良好的稳定性。

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