公开(公告)号：CN104658902A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510043716.4

申请日：2015-01-28

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 文高 ,  杨鑫著 ,  肖强 ,  蒋明明 ,  易鹏程

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种沟槽栅蚀刻方法，包括：步骤一：在硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽，掩膜的与沟槽的侧壁相邻的区域形成环绕区，步骤二：垂直于沟槽的侧壁而蚀刻环绕区，在蚀刻后的环绕区的边缘和沟槽的顶角之间形成第一预定距离的台阶，步骤三：向硅衬底的经步骤二处理后的表面上涂覆保护层，步骤四：除去环绕区和台阶上的保护层，并且除去沟槽内的部分的保护层，直到沟槽内的保护层的表面与沟槽的顶角为第二预定距离，步骤五：在保护层和蚀刻后的环绕区的保护下，将台阶蚀刻为圆滑的边缘。根据本发明的方法，形成沟槽后向沟槽内填充了保护层。在对顶角进行圆化处理时，能够防止沟槽壁被破坏。

公开(公告)号：CN104616982A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510016216.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 肖强 ,  罗海辉 ,  杨鑫著 ,  易鹏程 ,  蒋明明 ,  文高

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明涉及沟槽栅蚀刻方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成不被氧化的掩膜，在硅衬底和掩膜之间形成第一界面，在掩膜的预定区开有露出硅衬底的窗口；对硅衬底进行氧化，在第一界面的与窗口相邻的区域形成二氧化硅区，二氧化硅区与硅衬底之间形成朝向二氧化硅区圆滑凸出的第二界面；在掩膜的遮蔽下，从窗口朝向硅衬底的内部进行蚀刻而形成沟槽，除去掩膜和二氧化硅区，第二界面形成沟槽的顶角区的圆滑过渡。根据本发明的方法，能够方便地实现沟槽顶角的圆化，简化了沟槽栅的制造工艺。

公开(公告)号：CN104658902B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510043716.4

申请日：2015-01-28

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 文高 ,  杨鑫著 ,  肖强 ,  蒋明明 ,  易鹏程

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种沟槽栅蚀刻方法，包括：步骤一：在硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽，掩膜的与沟槽的侧壁相邻的区域形成环绕区，步骤二：垂直于沟槽的侧壁而蚀刻环绕区，在蚀刻后的环绕区的边缘和沟槽的顶角之间形成第一预定距离的台阶，步骤三：向硅衬底的经步骤二处理后的表面上涂覆保护层，步骤四：除去环绕区和台阶上的保护层，并且除去沟槽内的部分的保护层，直到沟槽内的保护层的表面与沟槽的顶角为第二预定距离，步骤五：在保护层和蚀刻后的环绕区的保护下，将台阶蚀刻为圆滑的边缘。根据本发明的方法，形成沟槽后向沟槽内填充了保护层。在对顶角进行圆化处理时，能够防止沟槽壁被破坏。