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公开(公告)号：CN103894697A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410168459.2
申请日：2014-04-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: B23K3/087 , B23K1/008 , B23K2101/18 , B23K2101/36
Abstract: 本发明提出了一种大功率IGBT模块焊接装置，其包括焊片固定工装、衬板固定工装和定位销；所述焊片固定工装和焊片厚度一致，并设有固定焊片的贯通槽；所述衬板固定工装上设有固定待焊接衬板的贯通槽；所述焊片固定工装和衬板固定工装上均设有和定位销对应的定位孔。本焊接采用没有助焊剂的成型片状焊料（焊片），把片状材料放到特定的工装中，使得被焊接区域、片状材料与被焊接衬板元件位置相对固定，实现IGBT模块焊片焊接，焊接后，不存在助焊剂，焊接品也不需要清洗，既可以提高模块组装效率，也可以提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN106684134B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201510761407.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深度，第一深度为第一次沟槽刻蚀并进行N阱注入的深度，第一深度大于或等于P‑基区的结深，第一深度小于N阱的深度，第二深度为沟槽的深度。本发明能够克服现有沟槽栅功率半导体器件的N阱(载流子存储层)通过扩散工艺来实现掺杂，无法实现较高的掺杂浓度的技术问题。
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公开(公告)号：CN106684133A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510760586.6
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管构造方法，所述方法包括以下步骤：采用P型扩散工艺在所述衬底上构造P型扩散区，使得所述P型扩散区的结深大于/等于所述晶体管的沟槽的深度；制作沟槽栅结构；制作N+源极区；刻蚀发射极金属接触窗口；利用高能离子注入使得特定深度的所述P型扩散区反型从而在所述P型扩散区内部构造N阱层，所述N阱层将所述P型扩散区分成上下两个相互隔离的部分，其中，上部分为P-基区，下部分为P阱层；执行后续工艺完成所述晶体管的构造。与现有技术相比，本发明的方法大大简化了工艺流程，从而降低了总体工艺成本以及工艺难度。同时，本发明的方法各个步骤均可以采用现有工艺技术完成，不需要增加新的工艺设备。
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公开(公告)号：CN101890605B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010219958.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片焊接装置，应用于大功率高压半导体模块焊接。功率半导体芯片焊接装置包括：底板、绝缘元件固定框架、绝缘元件和半导体芯片固定框架，绝缘元件固定框架固定在底板上方形成绝缘元件固定工位，绝缘元件放置在绝缘元件固定框架上，半导体芯片固定框架固定在绝缘元件固定框架上，半导体芯片固定框架上分布有用于元件焊接的位置。该发明可以很好地解决现有技术存在的因半导体芯片、片状焊料及绝缘元件的相对位置移动造成的半导体芯片焊接位置不准确问题以及贴片电阻、片状焊料及绝缘元件相对位置移动而造成开路的技术问题，实现功率半导体芯片焊接封装准确定位。
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公开(公告)号：CN101890605A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010219958.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片焊接装置，应用于大功率高压半导体模块焊接。功率半导体芯片焊接装置包括：底板、绝缘元件固定框架、绝缘元件和半导体芯片固定框架，绝缘元件固定框架固定在底板上方形成绝缘元件固定工位，绝缘元件放置在绝缘元件固定框架上，半导体芯片固定框架固定在绝缘元件固定框架上，半导体芯片固定框架上分布有用于元件焊接的位置。该发明可以很好地解决现有技术存在的因半导体芯片、片状焊料及绝缘元件的相对位置移动造成的半导体芯片焊接位置不准确问题以及贴片电阻、片状焊料及绝缘元件相对位置移动而造成开路的技术问题，实现功率半导体芯片焊接封装准确定位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106684131B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201510760045.3
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/66 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种功率器件及其制作方法，功率器件包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱，N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从上至下依次排列，P阱包围沟槽栅结构的沟槽底部。P阱在功率器件关断时通过加快N阱的载流子的耗尽降低沟槽底部的电场强度。本发明能够解决高浓度N阱所带来的器件耐压特性下降的技术问题，并且解决了P阱的常规制作工艺的成本高、工艺难度大、掺杂浓度调整范围小的技术问题，使得器件可以在高浓度N阱下依然能够保持良好的耐压特性，从而优化了器件功耗与耐压的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN106684133B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201510760586.6
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管构造方法，所述方法包括以下步骤：采用P型扩散工艺在所述衬底上构造P型扩散区，使得所述P型扩散区的结深大于/等于所述晶体管的沟槽的深度；制作沟槽栅结构；制作N+源极区；刻蚀发射极金属接触窗口；利用高能离子注入使得特定深度的所述P型扩散区反型从而在所述P型扩散区内部构造N阱层，所述N阱层将所述P型扩散区分成上下两个相互隔离的部分，其中，上部分为P‑基区，下部分为P阱层；执行后续工艺完成所述晶体管的构造。与现有技术相比，本发明的方法大大简化了工艺流程，从而降低了总体工艺成本以及工艺难度。同时，本发明的方法各个步骤均可以采用现有工艺技术完成，不需要增加新的工艺设备。
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公开(公告)号：CN106684134A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510761407.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：P‑基区、N‑衬底、N阱、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率半导体器件采用沟槽栅结构。沟槽栅结构的沟槽具有第一深度和第二深度，第一深度为第一次沟槽刻蚀并进行N阱注入的深度，第一深度大于或等于P‑基区的结深，第一深度小于N阱的深度，第二深度为沟槽的深度。本发明能够克服现有沟槽栅功率半导体器件的N阱(载流子存储层)通过扩散工艺来实现掺杂，无法实现较高的掺杂浓度的技术问题。
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公开(公告)号：CN106684131A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510760045.3
申请日：2015-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/66 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种功率器件及其制作方法，功率器件包括：N阱、N‑衬底、P‑基区、多晶硅栅、N+源极区、P+欧姆接触区、发射极金属电极和栅氧化层，功率器件采用沟槽栅结构。功率器件还包括P阱，N+源极区、P‑基区、N阱、P阱从上至下依次排列，P阱包围沟槽栅结构的沟槽底部。P阱在功率器件关断时通过加快N阱的载流子的耗尽降低沟槽底部的电场强度。本发明能够解决高浓度N阱所带来的器件耐压特性下降的技术问题，并且解决了P阱的常规制作工艺的成本高、工艺难度大、掺杂浓度调整范围小的技术问题，使得器件可以在高浓度N阱下依然能够保持良好的耐压特性，从而优化了器件功耗与耐压的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN203390459U
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201320466008.8
申请日：2013-08-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: B23K37/04
Abstract: 本实用新型公开了一种用于将片状焊料固定在IGBT模块基板上的焊接工装，包括焊片定位工装和衬板固定工装，所述焊片定位工装和衬板固定工装均为矩形，且大小与IGBT模块基板大小匹配；所述矩形的两条侧边上开设有若干个定位孔；所述矩形通过N条压条分隔为N+1个定位框，所述定位框通过设置在所述定位框侧边上的定位块分隔为与焊片大小匹配的焊接区。本实用新型结构简单，安装方便，定位准确，能保证焊片材料与基板被焊接区域相对固定，保证衬板在组装及焊接时，衬板、焊片材料及被焊接区域位置相对固定。
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