使用法拉第笼的等离子体刻蚀方法

    公开(公告)号:CN111052319B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN201880054020.3

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本说明书提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述等离子体蚀刻方法包括:将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中的步骤;将石英基板设置在法拉第笼内部的步骤,所述石英基板在其一个表面上具有金属掩模,所述金属掩模中具有开口;以及其中使用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻的图案化步骤。其中,法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。

    使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法

    公开(公告)号:CN112889134A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201980053527.1

    申请日:2019-11-04

    Abstract: 本发明提供了一种使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法,通过该等离子体蚀刻方法能够有效地产生具有火焰形状的图案部。使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法包括以下步骤:通过在蚀刻基板的一个表面上执行第一等离子体蚀刻,以在通过金属掩模暴露的蚀刻基板的一个表面的部分区域上形成第一图案部;以及去除金属掩模,以使蚀刻基板的该一个表面相对于法拉第笼的底表面倾斜的同时将蚀刻基板的该一个表面放置于包括在其上表面上形成的网状部的法拉第笼中;以及进行第二等离子体蚀刻以将第一图案部形成为具有火焰形状的第二图案部。

    衍射导光板和制造衍射导光板的方法

    公开(公告)号:CN111065942A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201880054388.X

    申请日:2018-10-23

    Abstract: 本发明的示例性实施方案提供了衍射导光板,包括:第一衍射基底;和设置在第一衍射基底上的第二衍射基底,其中第一衍射基底包括在一个表面上的第一衍射光栅层和在另一表面上的第二衍射光栅层,第二衍射基底包括在一个表面上的第三衍射光栅层和在另一表面上的应力补偿层,第一衍射光栅层分离波长为550nm或更大且700nm或更小的光,第二衍射光栅层分离波长为400nm或更大且550nm或更小的光,第三衍射光栅层分离波长为450nm或更大且650nm或更小的光,以及应力补偿层在与第三衍射光栅层的应力方向相同的方向上具有应力。

    使用法拉第笼的等离子体刻蚀方法

    公开(公告)号:CN111052319A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201880054020.3

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本说明书提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述等离子体蚀刻方法包括:将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中的步骤;将石英基板设置在法拉第笼内部的步骤,所述石英基板在其一个表面上具有金属掩模,所述金属掩模中具有开口;以及其中使用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻的图案化步骤。其中,法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。

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