公开(公告)号：CN1369919A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN02103590.3

申请日：2002-02-07

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 江本真树子 ,  藤田健太郎 ,  柴田明夫 ,  横田洋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/3063 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 使半导体晶体衬底的一个正面与含有氟化物的电解液接触,将一个电极放置于该电解液中,在该电极和半导体晶体衬底之间通过电流,向该半导体晶体衬底施加光以生成数对空穴和电子。通过使空穴与离子在与该电解液接触的半导体晶体衬底的正面内结合来蚀刻半导体晶体衬底,从而在其上形成至少一个表面不规则性结构。

公开(公告)号：CN1367538A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02102581.9

申请日：2002-01-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 柴田明夫 ,  江本真树子 ,  横田洋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/3063 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 使半导体晶体衬底的一个正面与含有氟化物的电解液接触,将一个电极放置于该电解液中。在该电极和半导体晶体衬底之间产生电流,向该半导体晶体衬底的反面施加光,生成数对空穴和电子。通过使空穴和电解液中的离子结合来蚀刻半导体晶体衬底,从而在半导体晶体衬底中形成多个通孔。