公开(公告)号：CN107241917B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201480009591.7

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  寒泽佑介 ,  浦上泰 ,  小林正和

IPC: H01L29/32 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04

Abstract: SiC单晶，在基本平行于其c‑平面的面内包括，具有特定方向伯格斯矢量(A)的边缘位错不均匀地分布于其中的区域(A)，和具有特定方向伯格斯矢量(B)不均匀分布于其中的区域(B)。所述区域(A)位于相对于晶面部分的 方向，而所述的区域(B)位于相对于所述晶面部分的 方向。SiC是通过沿着基本平行于所述c‑平面的方向切割由所述SiC单晶所得的SiC晶片而制备的，且从所述SiC晶片上切割所述SiC基板使得所述SiC基板主要包含所述区域(A)和所述区域(B)中的一个。使用所述SiC基板制备SiC器件。

公开(公告)号：CN107241917A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201480009591.7

申请日：2014-02-07

Applicant: 株式会社电装 ,  昭和电工株式会社

Inventor： 郡司岛造 ,  寒泽佑介 ,  浦上泰 ,  小林正和

IPC: H01L29/32 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04

Abstract: SiC单晶，在基本平行于其c‑平面的面内包括，具有特定方向伯格斯矢量(A)的边缘位错不均匀地分布于其中的区域(A)，和具有特定方向伯格斯矢量(B)不均匀分布于其中的区域(B)。所述区域(A)位于相对于晶面部分的 方向，而所述的区域(B)位于相对于所述晶面部分的 方向。SiC是通过沿着基本平行于所述c‑平面的方向切割由所述SiC单晶所得的SiC晶片而制备的，且从所述SiC晶片上切割所述SiC基板使得所述SiC基板主要包含所述区域(A)和所述区域(B)中的一个。使用所述SiC基板制备SiC器件。