物理量传感器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104350359B

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201380028260.3

    申请日:2013-05-28

    CPC classification number: G01P1/003 G01C19/5747 G01P1/026 G01P3/14 G01P3/44

    Abstract: 在物理量传感器中,关于同相模式的共振频率f1和比其大的同相吸收模式的共振频率f3,设为同相吸收模式的共振频率f3与同相模式的共振频率f1的n倍的值的差的绝对值Δf3比对同相模式的共振频率f1乘以避免差D后的值大的关系(Δf3>f1×D),并至少使避免差D比0%大。由此,能够避免由共振干涉带来的振动激励成为最大位移。通过进行设定为满足这样的关系的同相模式的共振频率f1和同相吸收模式的共振频率f3的设计,使由共振干涉带来的振动激励降低。因而,能够不使用防振部件且不导致传感器灵敏度的降低,而使耐冲击性能提高。

    物理量传感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104350359A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201380028260.3

    申请日:2013-05-28

    CPC classification number: G01P1/003 G01C19/5747 G01P1/026 G01P3/14 G01P3/44

    Abstract: 在物理量传感器中,关于同相模式的共振频率f1和比其大的同相吸收模式的共振频率f3,设为同相吸收模式的共振频率f3与同相模式的共振频率f1的n倍的值的差的绝对值Δf3比对同相模式的共振频率f1乘以避免差D后的值大的关系(Δf3>f1×D),并至少使避免差D比0%大。由此,能够避免由共振干涉带来的振动激励成为最大位移。通过进行设定为满足这样的关系的同相模式的共振频率f1和同相吸收模式的共振频率f3的设计,使由共振干涉带来的振动激励降低。因而,能够不使用防振部件且不导致传感器灵敏度的降低,而使耐冲击性能提高。

Patent Agency Ranking