公开(公告)号：CN118525356A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202280088241.9

申请日：2022-12-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 丸野尚纪 ,  青木一史 ,  巴赫曼·苏丹尼 ,  古川隆太

IPC: H01L21/304 ,  B23H5/08

Abstract: 本发明的半导体晶片(W)的表面加工方法包含以下的处理、步骤、或者工序：通过在存在电解液(S)的情况下以半导体晶片(W)为阳极使电流密度为20mA/cm2以上的脉冲电流流过，从而对上述半导体晶片的被加工面(W1)进行阳极氧化。在使具有磨石层(32)的表面加工垫(3)中的上述磨石层与上述被加工面对置配置的状态下，通过上述磨石层选择性地去除通过阳极氧化在上述被加工面上生成的氧化物。

公开(公告)号：CN119836680A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380044949.9

申请日：2023-05-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 青木一史 ,  丸野尚纪 ,  巴赫曼·索坦尼 ,  窟贯太郎 ,  古川隆太 ,  加藤裕也

IPC: H01L21/304 ,  B23H5/00 ,  C25F3/16

Abstract: 一种表面加工方法，其为将被加工物(W)的表面、即被加工面(W1)平坦化的表面加工方法，包含以下的步骤、处理、或者工序：通过以夹着碱性电解液(S)使磨石层(32)与上述被加工面相对配置的状态将上述被加工物作为阳极使电流流过，从而因阳极氧化而使上述被加工面生成氧化物。利用上述磨石层而除去因阳极氧化而生成于上述被加工面的上述氧化物。