公开(公告)号：CN111668695B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202010139281.4

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 松滨诚 ,  粟根悠介 ,  有本公彦 ,  伊关博臣 ,  桝田真太郎

IPC: H01S5/024 ,  G01J3/10 ,  G01J3/42 ,  G01N21/31 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/3554

Abstract: 本发明提供半导体激光装置以及分析装置。一种半导体激光装置，用于光学分析，能够减小检测半导体激光元件的温度的温度检测元件的测定误差，高精度地进行半导体激光元件的温度控制，其中，具备：半导体激光元件(2)；温度检测元件(3)，检测半导体激光元件(2)的温度；输出端子(T1、T2)，将温度检测元件3的输出向外部输出；布线(L1、L2)，将温度检测元件(2)与输出端子(T1、T2)电连接；以及热容量增大部(7)，夹设在温度检测元件(3)与输出端子(T1、T2)之间，与布线(L1、L2)的至少一部分接触而增大布线(L1、L2)的热容量。

公开(公告)号：CN111668695A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010139281.4

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 松滨诚 ,  粟根悠介 ,  有本公彦 ,  伊关博臣 ,  桝田真太郎

IPC: H01S5/024 ,  G01J3/10 ,  G01J3/42 ,  G01N21/31 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/3554

Abstract: 本发明提供半导体激光装置以及分析装置。一种半导体激光装置，用于光学分析，能够减小检测半导体激光元件的温度的温度检测元件的测定误差，高精度地进行半导体激光元件的温度控制，其中，具备：半导体激光元件(2)；温度检测元件(3)，检测半导体激光元件(2)的温度；输出端子(T1、T2)，将温度检测元件3的输出向外部输出；布线(L1、L2)，将温度检测元件(2)与输出端子(T1、T2)电连接；以及热容量增大部(7)，夹设在温度检测元件(3)与输出端子(T1、T2)之间，与布线(L1、L2)的至少一部分接触而增大布线(L1、L2)的热容量。

公开(公告)号：CN104568518A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410553292.1

申请日：2014-10-17

Applicant: 公益财团法人日本汽车运输技术协会 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 横山英也 ,  原一平 ,  野田明 ,  小池一司 ,  吉村纱矢香 ,  桝田真太郎 ,  熊谷树 ,  大槻喜则

IPC: G01N1/22 ,  G01N33/00

CPC classification number: G01N1/2252 ,  G01M15/102 ,  G01N2001/2255

Abstract: 本发明提供排气取样装置和排气分析系统，在使用开放型排气取样部采集排气的装置和系统中，能减少因排气管的周围的冷却风的流速不均匀而产生的排气的泄漏。排气取样装置和排气分析系统具备排气取样部，所述排气取样部具有与排气管的排气排出口相对设置的排气取样口，用于采集从排气排出口排出的排气和排气管的周围的周围气体，并且排气取样部具有卷入减少结构，所述卷入减少结构减少从排气取样口流入了的周围气体卷入排气后从排气取样口向外部流出的情况。