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公开(公告)号：CN102576608B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201080044992.8
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01G11/02 , H01G9/038 , H01G9/22 , H01G11/28 , H01G11/56 , H01G11/68 , H01G11/70 , H01G11/84 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L28/40 , Y02E60/13
Abstract: 提供可在室温被制造的氧化还原电容器以及其制造方法。含有氢的非晶半导体被用作氧化还原电容器的电解质。可使用含有诸如非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗之类的半导体元素的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的典型示例。可使用含有氢的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。可给出含有诸如氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、以及氧化铟之类的单组分氧化物半导体的非晶半导体作为含有氢的氧化物半导体的典型示例。可使用诸如In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)之类的多组分氧化物半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。
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公开(公告)号：CN105164054B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201480025454.2
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个目的是增大能够嵌入正极活性物质并从正极活性物质脱嵌的锂离子的量；实现二次电池的大容量及高能量密度。将LiMn2O4雏晶(具有尖晶石型结构的雏晶)与Li2MnO3雏晶(具有层状岩盐型结构的雏晶)的复合材料用于正极活性物质。该锂锰复合氧化物具有良好的结构稳定性及大容量。
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公开(公告)号：CN103132116B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210481473.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C25D7/06
CPC classification number: C25D11/00 , C25B3/04 , C25D1/18 , C25D5/48 , C25D7/0614 , C25D9/02 , C25D11/005 , C25D13/04 , C25D13/16 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 本发明的一个方式提供一种柔性衬底处理装置，该柔性衬底处理装置能够对形成在柔性衬底上的膜状结构体所包含的氧化物稳定地进行还原处理。上述装置结构包括：发送形成有膜状结构体的柔性衬底的衬底搬出部；将形成在柔性衬底上的膜状结构体所包含的氧化物电化学还原的还原部；洗涤柔性衬底及膜状结构体的洗涤部；使柔性衬底及膜状结构体干燥的干燥部；以及卷起形成有膜状结构体的柔性衬底的衬底搬入部。
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公开(公告)号：CN105580172B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201480040226.2
申请日：2014-07-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/505 , H01B1/08 , H01M4/362 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , Y02E60/122
Abstract: 本发明增大能够嵌入正极活性材料中或从正极活性材料脱嵌的锂离子的量，且实现二次电池的高容量和高能量密度。本发明提供一种以LixMnyMzOw表示的锂锰复合氧化物，其中M为Li和Mn之外的金属元素、或Si或P，并且y、z和w满足0≤x/(y+z) 0、z>0、0.26≤(y+z)/w
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公开(公告)号：CN106868532A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710030789.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C25D11/00 , C25B3/04 , C25D1/18 , C25D5/48 , C25D7/0614 , C25D9/02 , C25D11/005 , C25D13/04 , C25D13/16 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 本发明的一个方式提供一种柔性衬底处理装置，该柔性衬底处理装置能够对形成在柔性衬底上的膜状结构体所包含的氧化物稳定地进行还原处理。上述装置结构包括：发送形成有膜状结构体的柔性衬底的衬底搬出部；将形成在柔性衬底上的膜状结构体所包含的氧化物电化学还原的还原部；洗涤柔性衬底及膜状结构体的洗涤部；使柔性衬底及膜状结构体干燥的干燥部；以及卷起形成有膜状结构体的柔性衬底的衬底搬入部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102576608A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044992.8
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01G9/00 , H01G9/038 , H01G9/058 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01G11/02 , H01G9/038 , H01G9/22 , H01G11/28 , H01G11/56 , H01G11/68 , H01G11/70 , H01G11/84 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L28/40 , Y02E60/13
Abstract: 提供可在室温被制造的氧化还原电容器以及其制造方法。含有氢的非晶半导体被用作氧化还原电容器的电解质。可使用含有诸如非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗之类的半导体元素的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的典型示例。可使用含有氢的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。可给出含有诸如氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、以及氧化铟之类的单组分氧化物半导体的非晶半导体作为含有氢的氧化物半导体的典型示例。可使用诸如In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)之类的多组分氧化物半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。
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公开(公告)号：CN108101050B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810081169.2
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01B32/23 , C01B32/192 , H01G11/22 , H01G11/32 , H01M4/04 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及石墨烯及蓄电装置、及它们的制造方法。石墨烯的形成方法包括如下步骤：在第一导电层上形成含有氧化石墨烯的层；在其中浸渍了作为工作电极的第一导电层及作为对电极的第二导电层的电解液中，对第一导电层提供使氧化石墨烯在此发生还原反应的电位。包括至少正电极、负电极、电解液、及隔离体的蓄电装置的制造方法，包括形成通过上述形成方法形成的正电极和负电极中的一个或两个的活性材料层的石墨烯的步骤。
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公开(公告)号：CN103858259B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201280047563.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01B32/192 , C01B32/198 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01G11/22 , H01G11/32 , H01M4/04 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/587
CPC classification number: H01M4/5835 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/192 , C01B32/23 , H01G9/042 , H01G11/22 , H01G11/32 , H01G11/36 , H01M4/0438 , H01M4/133 , H01M4/139 , H01M4/1393 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M6/16 , H01M10/0525 , H01M10/0566 , Y02E60/13
Abstract: 石墨烯的形成方法包括如下步骤：在第一导电层上形成含有氧化石墨烯的层；在其中浸渍了作为工作电极的第一导电层及作为对电极的第二导电层的电解液中，对第一导电层提供使氧化石墨烯在此发生还原反应的电位。包括至少正电极、负电极、电解液、及隔离体的蓄电装置的制造方法，包括形成通过上述形成方法形成的正电极和负电极中的一个或两个的活性材料层的石墨烯的步骤。
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公开(公告)号：CN105164054A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480025454.2
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01B1/08 , C01G45/1242 , C01G45/1257 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01M4/131 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/505 , Y02P70/54
Abstract: 本发明的一个目的是增大能够嵌入正极活性物质并从正极活性物质脱嵌的锂离子的量；实现二次电池的大容量及高能量密度。将LiMn2O4雏晶(具有尖晶石型结构的雏晶)与Li2MnO3雏晶(具有层状岩盐型结构的雏晶)的复合材料用于正极活性物质。该锂锰复合氧化物具有良好的结构稳定性及大容量。
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公开(公告)号：CN102426934A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110229102.7
申请日：2011-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01G11/68 , H01G9/016 , H01G9/155 , H01G11/08 , H01G11/28 , H01G11/32 , H01G11/54 , H01G11/56 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及含有双电层电容器和太阳能电池的太阳能发电设备。双电层电容器含有一对用透光导电材料制成的集电器；散布在该对集电器上的活性材料；设置在该对集电器之间的透光的电解质层；电连接到集电器的端子部分。太阳能电池包括，在透光衬底之上的第一透光导电膜；设置为接触该第一透光导电膜的光电转换层；和设置为接触该光电转换层的第二透光导电膜。双电层电容器和太阳能电池通过端子部分、第一透光导电膜和第二透光导电膜彼此电连接。
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