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    绝缘层包覆的铝导电体、以及绝缘层和形成绝缘层的方法
    1.
    发明公开
    绝缘层包覆的铝导电体、以及绝缘层和形成绝缘层的方法 无效

    公开(公告)号：CN103534390A

    公开(公告)日：2014-01-22

    申请号：CN201280023203.1

    申请日：2012-03-23

    Applicant: 株式会社丰田中央研究所

    Inventor： 董树新 ,  松冈秀明 ,  浦田信也 ,  中井英雄 ,  高尾尚史

    IPC: C25D11/04

    CPC classification number: C25D11/04

    Abstract: 本发明提供具有非常高的比电阻和耐击穿电压的铝导电体。本发明的铝导电体包含由纯铝或铝合金制成的基材和包覆该基材的外表面的绝缘层，其中所述绝缘层由在所述基材上形成且具有25m2/g以上比表面积的阳极氧化层构成。在25m2/g以上的比表面积下，所述阳极氧化层的比电阻和耐击穿电压格外快速地升高。被这种阳极氧化层覆盖的铝导电体显示高绝缘性能。此外，所述阳极氧化层具有优异的耐热性。因此，本发明的铝导电体即使在高温环境等中也显示优异的绝缘性能。

    晶粒取向陶瓷及其制造方法
    2.
    发明授权
    晶粒取向陶瓷及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100371298C

    公开(公告)日：2008-02-27

    申请号：CN200510098054.7

    申请日：2005-06-17

    Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社丰田中央研究所

    Inventor： 高尾尚史 ,  本间隆彦 ,  斋藤康善 ,  鹰取一雅 ,  野野山龙彦 ,  长屋年厚 ,  中村雅也

    IPC: C04B35/495

    Abstract: 提供一种能发挥优异压电特性的晶粒取向陶瓷、其制造方法和一种各自使用晶粒取向陶瓷的压电材料、介电材料、热电转化元件和离子传导元件，这里提供的晶粒取向陶瓷包含，以式(1)：{Lix(K1-yNay)1-x}(Nb1-z-wTazSbw)O3，其中x，y，z和w的各自组分范围为0≤x≤0.2、0≤y≤1、0≤z≤0.4、0≤w≤0.2且x+z+w＞0所代表的各向同性钙钛矿型化合物作为主相。该主相包括一个多晶体，其对于每1摩尔式(1)所代表的化合物中含有0.0001-0.15摩尔的任意一种或多种选自属于元素周期表中第2到15族的金属元素、半金属元素、过渡金属元素、贵金属元素和碱土金属元素的附加元素。构成该多晶体的各晶粒的特别晶面是取向的。

    晶粒取向陶瓷及其制造方法
    3.
    发明公开
    晶粒取向陶瓷及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1733650A

    公开(公告)日：2006-02-15

    申请号：CN200510098054.7

    申请日：2005-06-17

    Applicant: 株式会社电装 ,  株式会社丰田中央研究所

    Inventor： 高尾尚史 ,  本间隆彦 ,  斋藤康善 ,  鹰取一雅 ,  野野山龙彦 ,  长屋年厚 ,  中村雅也

    IPC: C04B35/495

    Abstract: 提供一种能发挥优异压电特性的晶粒取向陶瓷、其制造方法和一种各自使用晶粒取向陶瓷的压电材料、介电材料、热电转化元件和离子传导元件，这里提供的晶粒取向陶瓷包含，以式(1)：{Lix(K1－yNay)1－x}(Nb1－z－wTazSbw)O3，其中x，y，z和w的各自组分范围为0≤x≤0.2、0≤y≤1、0≤z≤0.4、0≤w≤0.2且x+z+w＞0所代表的各向同性钙钛矿型化合物作为主相。该主相包括一个多晶体，其对于每1摩尔式(1)所代表的化合物中含有0.0001－0.15摩尔的任意一种或多种选自属于元素周期表中第2到15族的金属元素、半金属元素、过渡金属元素、贵金属元素和碱土金属元素的附加元素。构成该多晶体的各晶粒的特别晶面是取向的。

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