公开(公告)号：CN101150056A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710149595.7

申请日：2007-09-12

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 兼近将一 ,  菊田大悟 ,  石黑修 ,  上杉勉 ,  加地彻 ,  杉本雅裕

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2258 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性和可再现性的p－型III族氮化物半导体的制造方法。在n－－GaN层表面上形成光刻胶掩模。接着，形成Mg膜以覆盖所述n－－GaN层和所述光刻胶掩模，并在所述Mg膜上形成Ni/Pt金属膜。之后，移除所述光刻胶掩模，由此使得所述Mg膜和所述金属膜仅保留在形成p－型区的部分n－－GaN层上。随后，当在氨气氛中在900℃下实施热处理3小时时，Mg扩散到n－－GaN层中并同时被活化。因此，形成p－型区。此后，利用王水移除所述Mg膜和所述金属膜。