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公开(公告)号:CN107851288A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680014870.1
申请日:2016-02-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝基础设施系统株式会社
CPC classification number: H02J3/14 , G06Q50/06 , H02J3/32 , H02J3/383 , H02J2003/003 , H02J2003/007 , H02J2003/146 , Y02B10/14 , Y02E10/563
Abstract: 实施方式的蓄电池运行计划制作装置具备计划部。计划部基于包含表示各时刻的蓄电池的充放电所导致的余量的变化的链路和通过所述余量的变化而产生的链路目标的节点的电力成本的信息的图表来制作所述蓄电池的运行计划,所述链路是基于电力需求和利用可再生能源的系统的发电量的预测结果、以及表示每个时刻的电力单价的信息的电费信息来制作的。
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公开(公告)号:CN100557717C
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200610143974.0
申请日:2006-11-08
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 枝广俊昭
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/0433 , G11C16/26 , G11C2207/002 , G11C2207/005 , H01L27/115
Abstract: 一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列;多条第1位线;多条第2位线;第1读出放大器和第2读出放大器。存储单元阵列包括配置成矩阵状的存储单元。第1位线把处于同一列上的存储单元相互连接起来。第2位线把多条第1位线相互连接起来。为每一条第2位线设置第1读出放大器用来控制第2位线与第1位线之间的连接,而且,根据从存储单元读出到第1位线上的数据控制第2位线的电位。第2读出放大器通过第2位线和第1读出放大器对第1位线进行预充电,而且,在从存储单元读出数据时放大第2位线的电位。
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公开(公告)号:CN105308853A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201380077535.2
申请日:2013-12-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02S99/00 , G06F17/5004 , G06F17/5009 , G06F2217/78 , Y02E40/76 , Y02E60/76 , Y04S10/545 , Y04S40/22
Abstract: 根据实施方式,预测系统对太阳光发电单元的发电量进行预测。该预测系统具备计算部和系数优化部。计算部基于将日照强度变换为发电量的发电系数,根据日照强度的预测值来计算发电量的预测值。系数优化部自适应地改变发电系数。
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公开(公告)号:CN1963948A
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN200610143974.0
申请日:2006-11-08
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 枝广俊昭
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/0433 , G11C16/26 , G11C2207/002 , G11C2207/005 , H01L27/115
Abstract: 一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列;多条第1位线;多条第2位线;第1读出放大器和第2读出放大器。存储单元阵列包括配置成矩阵状的存储单元。第1位线把处于同一列上的存储单元相互连接起来。第2位线把多条第1位线相互连接起来。为每一条第2位线设置第1读出放大器用来控制第2位线与第1位线之间的连接,而且,根据从存储单元读出到第1位线上的数据控制第2位线的电位。第2读出放大器通过第2位线和第1读出放大器对第1位线进行预充电,而且,在从存储单元读出数据时放大第2位线的电位。
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