具有多个MOS晶体管的半导体存储器件及其控制方法

    公开(公告)号:CN100557717C

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:CN200610143974.0

    申请日:2006-11-08

    Inventor: 枝广俊昭

    Abstract: 一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列;多条第1位线;多条第2位线;第1读出放大器和第2读出放大器。存储单元阵列包括配置成矩阵状的存储单元。第1位线把处于同一列上的存储单元相互连接起来。第2位线把多条第1位线相互连接起来。为每一条第2位线设置第1读出放大器用来控制第2位线与第1位线之间的连接,而且,根据从存储单元读出到第1位线上的数据控制第2位线的电位。第2读出放大器通过第2位线和第1读出放大器对第1位线进行预充电,而且,在从存储单元读出数据时放大第2位线的电位。

    具有多个MOS晶体管的半导体存储器件及其控制方法

    公开(公告)号:CN1963948A

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN200610143974.0

    申请日:2006-11-08

    Inventor: 枝广俊昭

    Abstract: 一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列;多条第1位线;多条第2位线;第1读出放大器和第2读出放大器。存储单元阵列包括配置成矩阵状的存储单元。第1位线把处于同一列上的存储单元相互连接起来。第2位线把多条第1位线相互连接起来。为每一条第2位线设置第1读出放大器用来控制第2位线与第1位线之间的连接,而且,根据从存储单元读出到第1位线上的数据控制第2位线的电位。第2读出放大器通过第2位线和第1读出放大器对第1位线进行预充电,而且,在从存储单元读出数据时放大第2位线的电位。

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