光电转换元件
    2.
    发明公开
    光电转换元件 审中-实审

    公开(公告)号:CN119451373A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202410270748.7

    申请日:2024-03-11

    Abstract: 实施方式的光电转换元件(100)具备基板(110)、第1电极(120)、包含具有由ABX3所表示的组成的钙钛矿晶体的光电转换膜(130)、电子输送层(140)和第2电极(150)。第2电极具备:第1层(160),其配置于电子输送层(140)上,包含选自Ti、Sn、Zn、Ce、In及Nb中的至少1种第1金属及第1金属的氧化物;和第2层(170),其包含第2金属及第2金属的氧化物。第2层(170)具备存在于第1层(160)侧的第1区域(171)、存在于第1区域(171)上且具有比第1区域(171)低的氧浓度的第2区域(172)、和存在于第2区域(172)上且具有比第2区域(172)高的氧浓度的第3区域(173)。

    光电转换元件及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115036425A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202110985714.2

    申请日:2021-08-26

    Abstract: 本发明涉及光电转换元件及其制造方法。提供能改善特性的光电转换元件及其制造方法。根据实施方式,光电转换元件包含第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间且含有Sn及Pb的光电转换层。上述光电转换层包含第1部分区域、上述第1部分区域与上述第2导电层之间的第2部分区域、和上述第2部分区域与上述第2导电层之间的第3部分区域。上述第1部分区域具有第1Sn浓度和第1Pb浓度。上述第2部分区域具有低于上述第1Sn浓度的第2Sn浓度和高于上述第1Pb浓度的第2Pb浓度的至少任一者。上述第3部分区域包含Sn、氧和Pb。

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