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公开(公告)号：CN1419260A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02148085.0
申请日：2002-10-25
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: G09G3/22 , B82Y10/00 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01J1/312
Abstract: 一种电子源(10)，具有由下部电极(12)、漂移层(6)、表面电极(7)构成的电子源元件10a。漂移层(6)存在于下部电极(12)和表面电极(7)之间。靠在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加使表面电极(7)变为高电位的电压时作用的电场，电子通过漂移层(6)，经表面电极(7)而被发射。在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加了顺偏压(正电压)时，加压结束后外加反偏压(负电压)，漂移层(6)内的收集器(9)捕获的电子向漂移层(6)外发射。由此，电子源(10)的寿命变长。
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公开(公告)号：CN101317262A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044182.6
申请日：2006-11-24
Applicant: 松下电工株式会社
Abstract: 提供了一种具有稳定传感器特性的紧凑型传感器装置及其制造方法。该传感器装置由传感器基板和接合到传感器基板的两个表面的一对封装基板形成。传感器基板具有带开口的框架、保持在开口中可相对于框架移动的移动部分、和用于根据移动部分的位移输出电信号的探测部分。通过使用惰性气体的原子束、离子束或等离子体在传感器基板的框架和封装基板上形成表面激活区域。通过在室温时在传感器基板的表面激活区域与每个封装基板之间形成直接接合，可避免由在接合部分的残余应力导致的问题。
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公开(公告)号：CN100399487C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n-型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n-型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加給直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n-型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
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公开(公告)号：CN101317263B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200680044187.9
申请日：2006-11-24
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01L23/02 , G01C19/5769
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B7/0051 , B81B7/0064 , B81B2201/025 , B81C2203/038 , G01C19/5719 , G01P1/023 , G01P15/125 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有小的传感器波动特性和优良抗电噪声特性的传感器装置。该传感器装置具有传感器单元，该传感器单元包括具有开口的框架、保持在开口中相对于框架可移动的可移动部和用于输出基于可移动部的位置移动的电信号的检测部。该传感器装置还具有封装基板，该基板由半导体材料形成并结合于该传感器单元的表面上。该封装基板在面对传感器单元的表面上具有电绝缘膜，并且该电绝缘膜的活化表面在室温下直接结合于传感器单元的活化表面上。因此，该封装基板结合于传感器单元上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1216394C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02142595.7
申请日：2002-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e-)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。
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公开(公告)号：CN101317263A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044187.9
申请日：2006-11-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B7/0051 , B81B7/0064 , B81B2201/025 , B81C2203/038 , G01C19/5719 , G01P1/023 , G01P15/125 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有小的传感器波动特性和优良抗电噪声特性的传感器装置。该传感器装置具有传感器单元，该传感器单元包括具有开口的框架、保持在开口中相对于框架可移动的可移动部和用于输出基于可移动部的位置移动的电信号的检测部。该传感器装置还具有封装基板，该基板由半导体材料形成并结合于该传感器单元的表面上。该封装基板在面对传感器单元的表面上具有电绝缘膜，并且该电绝缘膜的活化表面在室温下直接结合于传感器单元的活化表面上。因此，该封装基板结合于传感器单元上。
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公开(公告)号：CN1208800C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02148085.0
申请日：2002-10-25
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: G09G3/22 , B82Y10/00 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01J1/312
Abstract: 一种电子源(10)，具有由下部电极(12)、漂移层(6)、表面电极(7)构成的电子源元件(10a)。漂移层(6)存在于下部电极(12)和表面电极(7)之间。靠在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加使表面电极(7)变为高电位的电压时作用的电场，电子通过漂移层(6)，经表面电极(7)而被发射。在表面电极(7)和下部电极(12)之间外加了顺偏压(正电压)时，加压结束后外加反偏压(负电压)，漂移层(6)内的收集器(9)捕获的电子向漂移层(6)外发射。由此，电子源(10)的寿命变长。
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公开(公告)号：CN1462463A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN02801378.6
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 在场致发射型电子源(10)中，在n－型硅衬底(1)上设置强场漂移层(6)和由金薄膜构成的表面电极(7)。在n－型硅衬底(1)的背面上设置欧姆电极(2)。加给直流电压，使表面电极(7)相对于欧姆电极(2)成为正极性。按照这种方式，自欧姆电极(2)通过n－型硅衬底(1)注入到强场漂移层(6)中的电子在该强场漂移层(6)内漂移，并通过表面电极(7)被发射到外面。强场漂移层(6)具有大量纳米级的半导体超微晶粒(63)，部分地由构成所述强场漂移层(6)的半导体层形成，还有大量绝缘膜(64)，每个膜都形成在每个半导体超微晶粒(63)的表面上，这些薄膜的厚度使得发生电子穿透现象。
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公开(公告)号：CN1417827A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02142595.7
申请日：2002-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J9/022 , H01J2201/30446 , H01J2201/3125
Abstract: 一种场致发射型电子源。在由玻璃基板、陶瓷基板等的绝缘性基板构成的基板(1)一方的主表面上形成由层状导电性碳化物层构成的下部电极(2)。在下部电极(2)上形成无掺杂多晶硅层(3)。在多晶硅层(3)的上面形成由氧化多孔质多晶硅层构成的电子通过层(6)。电子通过层(6)由多晶硅与存在于该多晶硅颗粒边界附近的多个纳米级结晶硅混合而成的复合纳米级结晶层构成。在下部电极(2)与表面电极(7)之间，当被加载使表面电极(2)为高电位的电压时，电子(e－)从下部电极(2)朝向表面电极(7)的方向穿过电子通过层(6)，并通过表面电极(7)被发射到外部。
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