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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1075219C
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN96111963.2
申请日：1996-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B5/1871 , G11B5/008
Abstract: 在磁头中包括：一对磁芯，其中一个磁芯包括第一峰部、第二峰部和第一与第二峰部间的端部，另一个磁芯包括第三峰部、第四峰部和第三与第四峰部间的另一个端部，第一、三峰部彼此相对，第二、四峰部彼此相对，端部分和另一端部分彼此相对，还包括高饱和磁通量密度层，一个高饱和磁通量密度层覆盖端部分而另一个高饱和磁通量密度层覆盖另一端部分，其中：在用于防止虚假磁头的重要区域内，至少在第一、第二、第三和第四峰部中的一部分上的高饱和磁通量密谋层的厚度不小于0.5μm。
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公开(公告)号：CN1180883A
公开(公告)日：1998-05-06
申请号：CN97120643.0
申请日：1997-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/1878 , G11B5/314 , G11B5/40 , Y10T428/115
Abstract: 一种磁头,包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜,并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分,其中T是Fe或Co;M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属;N是氮;x、y和z是原子百分比,保持在65≤x≤94,5≤y≤25,0≤z≤20和x+y+z=100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分,氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。
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公开(公告)号：CN1084907C
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN97120643.0
申请日：1997-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/1878 , G11B5/314 , G11B5/40 , Y10T428/115
Abstract: 一种磁头，包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜，并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分，其中T是Fe或Co；M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属；N是氮；x、y和z是原子百分比，保持在65≤x≤94，5≤y≤25，0≤z≤20和x+y+z＝100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分，氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。
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公开(公告)号：CN1151065A
公开(公告)日：1997-06-04
申请号：CN96111963.2
申请日：1996-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/1871 , G11B5/008
Abstract: 在磁头中包括：一对磁芯，其中一个磁芯包括第一峰部、第二峰部和第一与第二峰部间的端部，另一个磁芯包括第三峰部、第四峰部和第三与第四峰部间的另一个端部，第一、三峰部彼此相对，第二、四峰部彼此相对，端部分和另一端部分彼此相对，还包括高饱和磁通量密度层，一个高饱和磁通量密度层覆盖端部分而另一个高饱和磁通量密度层覆盖另一端部分，其中：在用于防止虚假磁头的重要区域内，至少在第一、第二、第三和第四峰部中的一部分上的高饱和磁通量密度层的厚度防止小于0.5μm。
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公开(公告)号：CN1147670A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN96108296.8
申请日：1996-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 一种磁头，包括基底磁芯以及在该基底磁芯的两对边形成的磁合金薄膜，其薄膜内具有磁隙，磁合金薄膜由内部和外部组成，该内部位于磁隙的附近，并由用以下平均组分作为整个合金薄膜的一种合金组成，即TxMyNz，其中，T为Fe或Mo，M表示从Nb，Zr，Ta，Hf，Cr，W和Mo中选择的至少一种成分，N为氮，x，y，和z分别为原子百分数的一个值，确定65＜＝x＜＝94，5＜＝y＜＝25，0＜z＜＝20，使x+y+z＝100，其外部的氮含量高于内部的氮含量。
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