公开(公告)号：CN1812116A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510137093.3

申请日：2005-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 辺见健 ,  栗山俊宽

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明揭示一种固体摄像装置的制造方法，在半导体基板(1)上形成第1栅极(4)和第2栅极(5)后，有选择地形成保护膜图案使包含第1和第2栅极(4、5)的重叠部的部分形成开口。接着通过各向同性的蚀刻法除去包含栅极(4、5)的重叠部的部分。以第2栅极(5)的膜厚的 140％以上至200％的范围实施这时的蚀刻量。然后，形成通常的层间绝缘膜和遮光膜(6)。通过使遮光膜(6)的开口部(6a)邻接的栅极部消除重叠，抑制这一部分的遮光膜(6)的高度，减少对透镜(8)聚光的光的遮蔽，从而有可能提高透镜(8)的聚光效率。