公开(公告)号：CN105051868A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201380009099.5

申请日：2013-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  清泽努 ,  若山贵行

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 半导体装置具备第一碳化硅半导体层、设置在第一碳化硅半导体层的p型第一杂质区、以及与第一杂质区形成欧姆接触的第一欧姆电极。第一欧姆电极为含氮的硅合金，第一欧姆电极中含有的氮的平均浓度为第一杂质区中的氮的平均浓度的二分之一以上，第一欧姆电极的、从与第一杂质区之间的界面起50nm的范围以外的部分中的p型杂质的平均浓度为3.0×1018cm-3以下。