公开(公告)号：CN1591790A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056057.X

申请日：2004-08-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚英树 ,  宫田毅 ,  松本宗之 ,  河野宽

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。利用过氧化氢溶液氧化通过CMP工序在半导体衬底1上形成铜布线6之际所产生的残留物及布线间桥梁9而成为氧化铜以后，再利用草酸溶液溶解并除去氧化铜。这样一来，就可在不损伤铜布线6主体的情况下，除去残留异物及布线间桥梁9。结果是，进行完化学机械研磨之后，不会在铜布线的表面产生凹状缺陷，确实能除去由铜形成的布线间桥梁等污染物，制造出无短路、无断线的半导体器件。