公开(公告)号：CN100355073C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410076846.X

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有使用强电介质或高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，可防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1284242C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200310118118.6

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。是在具有使用强电介质或者高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，在可以防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可以减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；以及形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜，由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列的上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1617344A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410076846.X

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有使用强电介质或高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，可防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。

公开(公告)号：CN1501502A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310118118.6

申请日：2003-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东丰二 ,  藤井英治 ,  梅田和男

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。是在具有使用强电介质或者高电介质的电容绝缘膜的半导体器件中，在可以防止电容绝缘膜因氢引起的劣化的同时，还可以减小单位单元的面积。该器件具备：形成在半导体衬底(10)上的单元选择用晶体管；与各晶体管的源扩散层(14B)连接、包含多个电容部(27)的电容部列，各个电容部具有由强电介质构成的电容绝缘膜(25)；以及形成在比该电容部列更下方的位线(17)。电容部列在包含上下的整个周围被氢阻挡膜覆盖，该氢阻挡膜，由形成在晶体管和电容部(27)之间的导电性下部氢阻挡膜(21)、形成在位线(17)及电容部列之间的绝缘性下部氢阻挡膜(19)和形成在电容部列的上侧的上部氢阻挡膜(29)构成。