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公开(公告)号：CN100566151C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580001978.9
申请日：2005-01-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/14544 , H03H9/14582 , H03H9/6483
Abstract: 声表面波谐振器，具有压电基板(11)；由设置在压电基板(11)的表面上的多个叉指状电极(12)形成的IDT(13)；以及临近该IDT(13)的两端部设置的反射器(14)。上述IDT(13)具有使两端部的多个叉指状电极(12)的叉指间隔与该IDT(13)的中央附近的叉指间隔不相同的渐变区域，该渐变区域的叉指间隔从位于渐变区域一侧的最靠端部的叉指状电极起到渐变区域另一侧端部的叉指状电极为止的范围内依次变化，同时，将位于渐变区域的一侧的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔设定为此所述IDT(13)的中央附近的叉指间隔小1～5%。
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公开(公告)号：CN101379699B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200780004607.5
申请日：2007-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/1452 , H03H9/02858 , H03H9/02881 , H03H9/02992
Abstract: 本发明提供一种因改善声表面波的横向泄漏，而寄生小且特性优良的声表面波谐振器。本发明的声表面波滤波器在压电衬底上形成有梳状电极与反射器电极，且在梳状电极与反射器电极上形成有SiO2薄膜。梳状电极包含汇流条电极区域、虚设电极区域及交叉区域，而且梳状电极的汇流条电极区域上部成为SiO2薄膜被除去的状态。
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公开(公告)号：CN101379699A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780004607.5
申请日：2007-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/1452 , H03H9/02858 , H03H9/02881 , H03H9/02992
Abstract: 本发明提供一种因改善声表面波的横向泄漏，而寄生小且特性优良的声表面波谐振器。本发明的声表面波滤波器在压电衬底上形成有梳状电极与反射器电极，且在梳状电极与反射器电极上形成有SiO2薄膜。梳状电极包含汇流条电极区域、虚设电极区域及交叉区域，而且梳状电极的汇流条电极区域上部成为SiO2薄膜被除去的状态。
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公开(公告)号：CN100386965C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN00801013.7
申请日：2000-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03H9/64
Abstract: 本发明的SAW滤波器，包括压电基板，并在该压电基板上包括至少2个滤波道，该滤波道具有至少2个IDT电极用于输入和输出用途。2个滤波道的相位关系在通带内基本同相，在通带外基本反相。为了达到上述条件，一滤波道的输入IDT电极和另一滤波道的输入IDT电极并联连接，而且一滤波道的输出IDT电极和另一滤波道的输出IDT电极并联连接。此外其特征在于，上述2个滤波道其比传递函数最大值降低3dB的频率数值基本一致。可利用本发明构成，提供一种更加小型，具有宽幅的通带，并具有陡急衰减特性的SAW滤波器。
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公开(公告)号：CN1906849A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001978.9
申请日：2005-01-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/14544 , H03H9/14582 , H03H9/6483
Abstract: 声表面波谐振器，具有压电基板(11)；由设置在压电基板(11)的表面上的多个叉指状电极(12)形成的IDT(13)；以及临近该IDT(13)的两端部设置的反射器(14)。上述IDT(13)具有使两端部的多个叉指状电极(12)的叉指间隔与该IDT(13)的中央附近的叉指间隔不相同的渐变区域，该渐变区域的叉指间隔从位于渐变区域一侧的最靠端部的叉指状电极起到渐变区域另一侧端部的叉指状电极为止的范围内依次变化，同时，将位于渐变区域的一侧的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔设定为比所述IDT(13)的中央附近的叉指间隔小1～5％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1180531C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN00803090.1
申请日：2000-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/14552 , H03H9/0028 , H03H9/02622 , H03H9/02716 , H03H9/02771 , H03H9/02795 , H03H9/02874 , H03H9/14505 , H03H9/14517 , H03H9/14526 , H03H9/6433
Abstract: 一种弹性表面波装置，包括：在压电基片10上设置的输入输出叉指换能器(IDT)电极11、12；设置在输入IDT电极11的弹性表面波的输出侧的第1反射器电极13；以及设置在输出IDT电极12的弹性表面波的输入侧的第2反射器电极14；通过满足式(1)来实现优良的通带内特性。2(θ-5)≤tan-1(D/L)≤2(θ+5) (1)其中：θ：第1或第2反射器电极相对垂直于输入、输出IDT电极的弹性表面波的传播方向的平面的倾角(°：0°除外)D：与输入、输出IDT电极的弹性表面波的传播方向的垂直方向的宽度的中心距离(μm)L：第1反射器电极和第2反射器电极的中心距离(μm)。
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公开(公告)号：CN100508382C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480034259.2
申请日：2004-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/0274 , H03H9/14588 , H03H9/6426 , H03H9/6473
Abstract: 本发明的SAW滤波器，通过压电基板、和其表面上设置的至少2个叉指换能器(IDT)构成。2个IDT，在同一声表面波的传播路径上相邻设置，至少一个与信号路径串联连接，至少另一个相对信号路径并联连接。通过本发明的结构，能够得到一种较以往的滤波器更为小型且衰减特性高的滤波器。
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公开(公告)号：CN1883113A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480034259.2
申请日：2004-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/0274 , H03H9/14588 , H03H9/6426 , H03H9/6473
Abstract: 本发明提供一种SAW滤波器，通过在压电基板(201)上，形成第一IDT(202)与第二IDT(203)而构成，第一IDT(202)串联设置在输入输出端子的一方端子(204)与输入输出端子的另一方端子(205)之间，也即串联配置在信号路径中，第二IDT(203)被从输入输出端子的一方端子(204)与第一IDT(202)之间出发，相对信号路径并联设置。另外，第一IDT(202)与第二IDT(203)，在各自的共振器所激励的声表面波的同一传播路径上靠近设置。
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公开(公告)号：CN1338148A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN00803090.1
申请日：2000-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H9/14552 , H03H9/0028 , H03H9/02622 , H03H9/02716 , H03H9/02771 , H03H9/02795 , H03H9/02874 , H03H9/14505 , H03H9/14517 , H03H9/14526 , H03H9/6433
Abstract: 一种弹性表面波装置,包括:在压电基片10上设置的输入输出叉指换能器(IDT)电极11、12;设置在输入IDT电极11的弹性表面波的输出侧的第1反射器电极13;以及设置在输出IDT电极12的弹性表面波的输入侧的第2反射器电极14;通过满足式(1)来实现优良的通带内特性。2(θ－5)
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公开(公告)号：CN1310882A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：CN00801013.7
申请日：2000-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03H9/64
Abstract: 本发明的SAW滤波器,包括压电基板,并在该压电基板上包括至少2个滤波道,该滤波道具有至少2个IDT电极用于输入和输出用途。2个滤波道的相位关系在通带内基本同相,在通带外基本反相。为了达到上述条件,一滤波道的输入IDT电极和另一滤波道的输入IDT电极并联连接,而且一滤波道的输出IDT电极和另一滤波道的输出IDT电极并联连接。此外其特征在于,上述2个滤波道其比传递函数最大值降低3dB的频率数值基本一致。可利用本发明构成,提供一种更加小型,具有宽幅的通带,并具有陡急衰减特性的SAW滤波器。
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