公开(公告)号：CN1076519C

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN94120036.1

申请日：1994-12-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松元省二 ,  二河秀夫 ,  中川聪

IPC: H01L21/3205 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32135 ,  Y10S148/014

Abstract: 在已经做好电路元件和引线的衬底上，对绝缘底层(4)、下电极用Pt层(3)、电介质膜(2)和上电极用Pt层(1)进行光刻成形。然后，采用含S成份的腐蚀气体，在组成Pt和S的化合物的同时腐蚀上电极用Pt层(1)或下电极用Pt层(3)，或首先组成Pt和S的化合物，然后再腐蚀化合物的办法，来形成上电极(ls)、电容绝缘膜(2a)以及下电极(3a)。

公开(公告)号：CN1076517C

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN95103180.5

申请日：1995-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松元省二 ,  长野能久 ,  嶋田恭博 ,  井筒康文

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其工序包括，在硅基片上形成氧化硅膜、第1白金膜、介质以及第2白金膜，在1～5Pa低压范围，用溴化氢和氧的混合气体作为蚀刻气体，通过抗蚀保护层膜干刻白金膜及介质。露出第1白金膜时，在5～50Pa高压范围，刻除第1白金膜上未蚀介质后，再在低压范围内干刻第1白金膜，从而在半导体集成电路芯片上形成由上电极、电容绝缘膜和下电极构成的电容元件。此方法解决了掩膜图案清晰度差和电路元件工作欠佳等问题。