公开(公告)号：CN101065851A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580040589.7

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小屋贤一 ,  岸本幸男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。

公开(公告)号：CN100541840C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200580040589.7

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小屋贤一 ,  岸本幸男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。

公开(公告)号：CN101527344B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200910132586.6

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小屋贤一 ,  岸本幸男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。

公开(公告)号：CN101527343B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200910132585.1

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小屋贤一 ,  岸本幸男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。

公开(公告)号：CN101527344A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910132586.6

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小屋贤一 ,  岸本幸男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。

公开(公告)号：CN101527343A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910132585.1

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小屋贤一 ,  岸本幸男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/483 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。