升压电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101594051A

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200910142045.1

    申请日:2009-05-27

    Inventor: 山平征二

    CPC classification number: H02M3/073 H02M2003/078

    Abstract: 本发明提供一种升压电路,通过抑制电荷转送效率的降低,控制具有三势阱结构的开关元件的P阱电位,可以降低消耗电力,削减布局面积。包括:第1升压单元列(101、102、103)和第2升压单元列(104、105、106)。还包括:对各个升压单元的同段的电位进行比较,选择较低侧的电位并进行输出的模拟比较电路(116、117、118)。根据这些模拟比较电路的输出电位,控制开关元件的P阱电位。这样,就可以抑制P阱电位的振幅,而且使P阱区的布局共享。

    非易失性半导体存储装置和驱动该存储装置的方法

    公开(公告)号:CN1953100A

    公开(公告)日:2007-04-25

    申请号:CN200610135957.2

    申请日:2006-10-17

    CPC classification number: G11C16/32 G11C11/5642 G11C16/26 G11C2211/5641

    Abstract: 把存储单元阵列逻辑地划分为多个具有不同读取速度的区域,具有不同读取速度的各个区域包括用于存储区域信息的区域信息存储区域,在区域信息中,同时存在于存储单元中的至少两个地址被设置为不同的区域,读取控制电路构造为通过根据存储在区域信息存储区域中的区域信息确定将要读取的所划分区域的任何一个、选择最佳读取方法和控制读取电路来执行读取操作,以及把存储在一个存储单元中的多值信息中能够以短时间读取的地址设置为高速读取区域,并且将其与具有其它读取速度的区域相区别。结果,在一个存储单元阵列中能够有效地写和读取2个或2个以上位的信息,而不降低存储单元阵列的使用效率。

    半导体集成电路以及具备该半导体集成电路的升压电路

    公开(公告)号:CN102342006A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201080010376.0

    申请日:2010-11-19

    Inventor: 山平征二

    CPC classification number: H03K19/00361 H02M3/073

    Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路以及具备该半导体集成电路的升压电路。半导体集成电路(102)包括:串联连接在第一电压与第二电压之间的第一晶体管(121)及第二晶体管(122);控制第一晶体管的第一反相器(123);控制第二晶体管的第二反相器(128);和电流源(126、131);电流源与第一及第二反相器中的至少一个反相器串联连接。

    电压产生电路
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100431053C

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200310109770.1

    申请日:2003-12-12

    Inventor: 山平征二

    CPC classification number: G05F3/262

    Abstract: 用于根据电源电压或任意电压产生升压电压的电压产生电路。具有产生高于电源电压的电压的升压电路(1)和产生基准电压Vref的基准电压产生电路(2)的电压产生电路,配置有:具有连接到升压电路(1)的输出端的第一输入端、具有电源电压Vdd的第二输入端和连接到地电压Vss的第三输入端、通过使等于由第一输入端与第二输入端之间的电位差引起的电流的基准电流流入第三输入端而在第一输出端产生控制电压Vfd的电压变化检测电路(4);用于比较控制电压Vfd和基准电压Vref的差分放大器电路(61);和用于根据差分放大器电路(61)的输出从升压电路(1)的输出提取电流从而控制升压电路(1)的输出电压的钳位电路(62)。

    升压电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101286696A

    公开(公告)日:2008-10-15

    申请号:CN200810096700.X

    申请日:2008-02-05

    Abstract: 一种升压电路,在时钟信号(CLK1、CLK2)分别是高电平和低电平的情况下,电压(V11m、V11n、V12m、V12n)分别成为“Vdd+α·Vdd”、“Vdd”、“Vdd+α·Vdd”、“Vdd+2α·Vdd”。这样,在升压级(12m)中,接通开关晶体管(103)成为导通状态,电荷传送晶体管(101)传送电荷。另一方面,在升压级(12n)中,关断开关晶体管(102)成为导通状态,电荷传送晶体管(101)成为非导通状态。这时,电荷传送晶体管(101)的栅源极间电位差和栅漏极间电位差成为“α·Vdd”。从而,在升压电路中缓和电荷传送晶体管的耐压限制。

    升压电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101227143A

    公开(公告)日:2008-07-23

    申请号:CN200810002656.1

    申请日:2008-01-14

    Inventor: 山平征二

    Abstract: 本发明提供一种升压电路,具备第一升压单元列(102、103、104)、和第二升压单元列(105、106、107),还具备对每个升压单元的相同级的电位进行比较,选择输出低侧的电位或高侧的电位的模拟比较电路(117、118、119),利用这些模拟比较电路的输出电位,控制N阱(NT)的电位。由此,可抑制N阱电位的振幅,且能共用N阱区域的布局。因此,能够抑制电荷传输效率的下降,并通过控制具有三重阱结构的开关元件的N阱电位,来实现低耗电,削减布局面积。

    升压电路和含有这种升压电路的非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号:CN100359606C

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200310115628.8

    申请日:2003-11-18

    CPC classification number: G11C5/145

    Abstract: 一种升压电路,其中提高了升压效率而不增加芯片面积,并缩短了用于到达电压电平和电流能力不同的所希望升高电压所需要的时间。在级数转换控制信号(SWHON)处于工作电压VDD电平、与电荷泵电路的泵送同步、并以高于前级中的电荷泵电路(12)的升高电压的电位使内部转换晶体管导通的情况下,用于在连接状态和非连接状态之间转换电荷泵电路(12)的输出端和电荷泵电路(13)的输入端的级数转换电路(20)允许要输送给二级电荷泵电路的4相位时钟信号(CLK1-CLK4)当中的时钟信号(CLK1、CLK3)被输送给电荷泵电路(11),由此二级电荷泵电路(11、12)和二级电荷泵电路(13、14)互相串联连接。

    升压电路
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101594052A

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200910142609.1

    申请日:2009-05-31

    Inventor: 山平征二

    CPC classification number: H02M3/073 H02M2003/075

    Abstract: 在用两相时钟操作的升压电路中,在升压时钟变更时,会产生通过电荷转送晶体管的电荷逆流,使升压效率降低。本发明提供了一种以使用两相时钟操作的升压电路为基础、将多个(M≥4)升压单元列作为一个构件的升压效率高的升压电路的结构。第K列(1≤K≤M)的升压单元被第KA列((K-1)>0时,KA=(K-1);(K-1)=0时,KA=M)的升压单元的输出端子的电位控制。由此,在输入第K列的升压单元的时钟由“L”变为“H”、实施升压之前,就能将电荷晶体管由导通状态变为非导通状态,防止通过电荷转送晶体管的电荷逆流。

    电压产生电路
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1506976A

    公开(公告)日:2004-06-23

    申请号:CN200310109770.1

    申请日:2003-12-12

    Inventor: 山平征二

    CPC classification number: G05F3/262

    Abstract: 用于根据电源电压或任意电压产生升压电压的电压产生电路。具有产生高于电源电压的电压的升压电路(1)和产生基准电压Vref的基准电压产生电路(2)的电压产生电路,配置有:具有连接到升压电路(1)的输出端的第一输入端、具有电源电压Vdd的第二输入端和连接到地电压Vss的第三输入端、通过使等于由第一输入端与第二输入端之间的电位差引起的电流的基准电流流入第三输入端而在第一输出端产生控制电压Vfd的电压变化检测电路(4);用于比较控制电压Vfd和基准电压Vref的差分放大器电路(61);和用于根据差分放大器电路(61)的输出从升压电路(1)的输出提取电流从而控制升压电路(1)的输出电压的钳位电路(62)。

    电平转换电路
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1499724A

    公开(公告)日:2004-05-26

    申请号:CN200310104722.3

    申请日:2003-10-30

    CPC classification number: H03K17/102 H03K3/356113

    Abstract: 一种电平转换电路,包括:在第3晶体管的栅极和第2输出端子之间插入的由输入信号的反相信号控制的第1栅极电压控制电路;在第4晶体管的栅极和第1输出端子之间插入的由输入信号控制的第2栅极电压控制电路;第1晶体管;以及第2晶体管。当输入信号从“H”变到“L”时,第1晶体管处于截止状态,由第1栅极电压控制电路使第3晶体管处于导通状态,第1输出端子的电压上升。第2晶体管处于导通状态,由第2栅极电压控制电路使第4晶体管处于截止状态,第1输出端子的电压下降。可以实现特别是输入电压为低电压时可以实现高速动作、低耗电化的电平转换电路。

Patent Agency Ranking