公开(公告)号：CN111886683A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980019884.6

申请日：2019-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川雅弘 ,  柴田大辅 ,  田村聪之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置(10)具备：基板(12)；依次设置在基板(12)的第1主面(12a)上方的第1导电型的漂移层(14)以及第2导电型的第1基础层(16)；栅极开口部(22)，贯通第1基础层(16)并且延伸到漂移层(14)；电子传输层(26)，具有位于第1基础层(16)的上方的部分以及沿着栅极开口部(22)的内表面的部分；栅极电极(30)，被设置在电子传输层(26)的上方且覆盖栅极开口部(22)；源极电极(34)，与第1基础层(16)连接；漏极电极(36)，设置在基板(12)的第2主面(12b)侧；以及高电阻层(24)，由氮化物半导体构成，设置在栅极开口部(22)中的第1基础层(16)与电子传输层(26)之间，其电阻值比第1基础层(16)高。

公开(公告)号：CN110168745A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201780082127.4

申请日：2017-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柴田大辅 ,  田村聪之 ,  宇治田信二 ,  平下奈奈子 ,  小川雅弘 ,  梶谷亮

IPC: H01L31/12

Abstract: 半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。