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公开(公告)号：CN110266275B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910669100.6
申请日：2019-07-23
申请人： 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种连续逆F类和J类混合的宽带Doherty功率放大器，包括宽带威尔金森功分器、相位补偿线、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和宽带后匹配电路。载波功率放大电路中包括载波宽带输入匹配电路、载波放大器晶体管和阻抗变换器；峰值功率放大电路中包括峰值宽带输入匹配电路、峰值放大器晶体管、峰值谐波控制/抑制网络、峰值基波调谐网络和反向相位补偿线；宽带后匹配电路中包括载波谐波控制网络和后匹配调谐网络。载波放大器在饱和输入功率时工作在连续逆F类模式，在输入功率回退6dB时工作在J类模式，峰值放大器在饱和输入功率时工作在连续逆F类模式，在输入功率回退6dB时不工作。
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公开(公告)号：CN109981055B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201910226068.4
申请日：2019-03-25
申请人： 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种分路谐波控制电路，包括功分器模块、第一谐波控制回路、第二谐波控制回路和基波匹配模块，其中，所述功分器模块与功放输出端相连接，用于将功率信号分为两路输出；所述第一谐波控制回路与所述功分器模块的一输出端相连接，至少设置第一谐波抑制模块、第一谐波控制模块和第一阻抗调节模块，所述第一谐波抑制模块用于保留三次谐波并滤除其他的谐波；第一谐波控制模块用于控制三次谐波；所述第一阻抗调节模块用于对第二谐波控制回路进行阻抗调节并将功率信号输出给基波匹配模块。采用本发明的技术方案，能够减小电路和电压波形和理想值的差距，从而提高功率放大的效率。
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公开(公告)号：CN113538610B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110686459.1
申请日：2021-06-21
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06T11/00 , G06Q30/0601 , G06N3/0464 , G06N3/08
摘要： 本发明公开了一种基于稠密流的虚拟试衣方法。本发明主要涉及利用深层神经网络生成目标语义分割图，并通过语义分割图利用可变形卷积神经网络预测稠密流，用于对源服装的特征信息进行空间形变并与目标人体信息融合得到服装转换的结果。本发明包括如下步骤：步骤(1)、生成目标语义分割图；步骤(2)、计算稠密流；步骤(3)、对人体信息和源服装信息进行融合得到最后的结果。本发明不需要服装的原始产品图，而是一张模特图，同时也能完成同一件服装在不同人物身上以不同视角的呈现，生成的结果纹理清晰，转换自然，目前获得了在该领域最好的效果。
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公开(公告)号：CN113310946B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110719916.2
申请日：2021-06-28
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于超构材料的微纳折射率传感器，涉及折射率传感技术领域。包括等间距阵列设置的传感器单元，所述传感器单元包括由上至下依次设置的第一金属层、第一布拉格反射镜、介质层、第二布拉格反射镜和第二金属层，所述第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜均包括GaAs层和AlGaAs层，所述GaAs层和AlGaAs层周期交替排列，所述传感器单元设置通孔，所述通孔为正方形。本发明的微纳折射率传感器不仅灵敏度较高，而且尺寸小，构造简单，更易于实现传感器的小型化和集成化，扩大了折射率传感器的应用范围。
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公开(公告)号：CN109921750B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910070713.8
申请日：2019-01-24
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明提供一种基于有源负载调制的宽带功率放大器及其设计方法，包括宽带功率分配器、宽带功率放大电路、负载调制功率放大电路。当输入信号频率处于倍频程以下时，宽带功率放大器输出阻抗条件良好，负载调制功率放大电路未工作；当输入信号频率进入倍频程以上时，宽带功率放大器的基波阻抗开始降低，这时负载调制功率放大电路开始工作，在其输出端产生电流I2，而宽带功率放大电路的输出电流为I1。根据有源负载调制的原理，宽带功率放大电路的负载阻抗Z1被提高，再经过宽带输出匹配电路的阻抗变换，其基波阻抗被提高至高效率区内。这样，宽带功率放大器的基波阻抗能在更宽的频带内处于高效率区，因此能够在更宽的频带内获得较高的效率，变相地拓展了功率放大器的带宽。
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公开(公告)号：CN113659430B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110820386.0
申请日：2021-07-20
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，该激光器由衬底，布拉格反射镜(DBRs)，有源增益层，金属层和金属圆柱阵列组成。在性能上与传统的激光器相比，本发明的激光器谐振腔具有超窄线宽，进而使得Q值很高，阈值很低。在制备上，在实际的器件制备中用银层代替了传统的上层DBR，减少了激光器的体积。且本发明采用半导体增益材料替代了传统的增益，大大减小了制备工艺的复杂性，同时极大节约了激光器的制作成本，展示出了巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114758282A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210463423.1
申请日：2022-04-28
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了基于时序校正卷积的视频预测方法。本发明方法对给定的原始视频进行采样预处理获得视频帧序列，并将该序列输入时序上下文融合模块，得到融合外观特征图和融合时空编码特征图，同时将该序列输入时序卷积校正模块得到卷积校正张量；然后，将得到的融合外观特征图、融合时空编码特征图和卷积校正张量通过自适应卷积时空编码器生成预测时空编码特征图；最后将预测时空编码特征图通过时空记忆解码器进行解码，输出预测视频帧序列。本发明方法不仅能够依据不同时刻的视频帧对卷积核参数进行校正，还能通过时序上下文融合策略对当前视频帧和历史帧时空编码特征的内在关系进行建模，从而生成更高视觉质量的预测视频帧序列。
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公开(公告)号：CN114742007A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210138180.4
申请日：2022-02-15
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/373 , G06F111/10
摘要： 本发明涉及一种GaN HEMT功率器件I‑V模型的建立方法，以MET模型与Angelov模型为基础，从模型本身的各参数意义出发，分别改进和建立GaN HEMT的直流I‑V正向导通特性模型与反向导通特性模型，并使得模型中每个参数都具有其意义；模型各参数可以采用1stOpt和matlab与测量的I‑V数据直接拟合提取，而无需在特定电压处提取参数的初始值，使得最终得到的GaN HEMT直流I‑V模型更为精确。
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公开(公告)号：CN114741836A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210137378.0
申请日：2022-02-15
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于全局敏感参数的GaN HEMT直流I‑V温度模型建立方法，首先选定一个GaN HEMT直流I‑V常温模型，通过非线性拟合确定每个温度下的拟合参数，然后计算每个参数的全局敏感参数并选择相对敏感的参数，然后建立敏感参数与温度之间的关系，最后替换GaN HEMT直流I‑V常温模型中的常量，以建立GaN HEMT直流I‑V温度模型。通过该方法，可以准确的判断在温度模型中哪些参数受温度影响较大，通过使用多项式构建这些参数与温度之间的关系，然后代入直流I‑V常温模型，由此建立高精度的GaN HEMT直流I‑V温度模型。
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公开(公告)号：CN113659430A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110820386.0
申请日：2021-07-20
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于半导体增益的低阈值Tamm态等离子激光器，该激光器由衬底，布拉格反射镜(DBRs)，有源增益层，金属层和金属圆柱阵列组成。在性能上与传统的激光器相比，本发明的激光器谐振腔具有超窄线宽，进而使得Q值很高，阈值很低。在制备上，在实际的器件制备中用银层代替了传统的上层DBR，减少了激光器的体积。且本发明采用半导体增益材料替代了传统的增益，大大减小了制备工艺的复杂性，同时极大节约了激光器的制作成本，展示出了巨大的应用前景。
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