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公开(公告)号：CN115132872A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210867717.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352
Abstract: 本申请实施例提供光电二极管器件、光敏探测器及检测装置。该器件包括半导体衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第一电极。半导体衬底包括相对的第一表面和第二表面。第一掺杂区位于半导体衬底内，第一掺杂区与半导体衬底形成第一PN结。第二掺杂区位于第一掺杂区内。第二掺杂区与第一掺杂区的导电型不同。第三掺杂区位于第二掺杂区内。第三掺杂区与第二掺杂区形成第二PN结。第一电极设置于第三掺杂区远离第二表面的一侧，且与第三掺杂区电连接，第一电极用于和半导体衬底之间形成第一电场。第一电场分布于第一电极和半导体衬底之间，因而电子和空穴受到的电场力较大，漂移速度相对较快，提高了载流子的收集效率。
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