公开(公告)号：CN119653896A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411747567.5

申请日：2024-12-02

Applicant: 暨南大学

Inventor： 杨铁锋 ,  郭昊然 ,  方子良 ,  阳明旭 ,  谢汉荣 ,  谢满炎 ,  欧阳旭 ,  韦玉明 ,  关贺元 ,  卢惠辉

IPC: H10F71/00 ,  H04N23/50 ,  H10F30/21

Abstract: 本发明属于智能光电探测器件领域，具体公开了一种PMN‑PT基光电探测器的双模式事件相机及其制备方法，通过掩模辅助沉积阵列电极，构建了弛豫铁电体PMN‑PT光电探测器，并表现出双模光响应特性；在0V时，从可见光到近红外波段都可以看到由热释电效应引起的典型对称尖峰；在适当的偏置电压下，在405nm激光激发下，光响应波形转变为以体光伏效应为主的方形；将PMN‑PT基光电探测器用于构建事件相机，当车辆经过时再施加偏压启动相机，利用体光伏效应对车辆进行图像捕获，解决传统相机能耗大的问题。

公开(公告)号：CN116581177A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310665431.9

申请日：2023-06-07

Applicant: 暨南大学

Inventor： 杨铁锋 ,  谢汉荣 ,  谢满炎 ,  刘俸利 ,  阳明旭 ,  关贺元 ,  卢惠辉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了基于Bi2O2Se的多功能器件及其制备方法，该器件包括：衬底、层状二维材料Bi2O2Se、第一金电极层和第二金电极层，所述衬底上方集成有第一金电极层，所述第一金电极层上表面设置有层状二维材料Bi2O2Se，所述层状二维材料Bi2O2Se的上表面设置有第二金电极层。本发明通过研究对比新型半导体层状二维材料Bi2O2Se的上水平、下水平和垂直三种不同沟道的电流输运特性，构建同时具有光电探测功能和突触功能的多功能器件。本发明作为基于Bi2O2Se的多功能器件及其制备方法，可广泛应用于多功能器件技术领域。