-
公开(公告)号：CN115389469B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202211076821.4
申请日：2022-09-02
Applicant: 暨南大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体共振传感装置，包括桥楔形棱镜、光源、准直透镜组、光谱仪、红外偏振器、耦合透镜；所述桥楔形棱镜的前表面和后表面相互平行，上表面、左侧面、右侧面垂直于前表面；所述桥楔形棱镜的左侧面、右侧面与上表面的夹角为锐角；所述桥楔形棱镜的底部设置一个槽状开口；所述槽状开口的顶部为平面，与桥楔形棱镜的上表面呈一个夹角β，β大于0°；所述桥楔形棱镜的上表面镀有SPR金属膜；所述槽状开口的顶部镀有反射膜。本发明还公开了基于上述表面等离子体共振传感装置的抗生素浓度检测方法。本发明的表面等离子体共振传感装置，具有高灵敏度和温度自补偿能力，用于检测抗生素浓度时可降低检测限。
-
公开(公告)号：CN113744927B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202110887041.7
申请日：2021-08-03
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米线的光熔接方法，包括以下步骤：在基底上制备金属纳米线薄膜；金属纳米线薄膜包含金属纳米线、粘合剂和光学助熔剂；光学助熔剂包括金属纳米颗粒、有机多卤化合物、磺酸酯类、鎓盐、金属盐中的一种以上；金属纳米线薄膜在波长200‑2500nm的光源下进行辐照，在纳米线的交叠点处的增强光场及其光热与助熔剂作用下，实现金属纳米线交叠点熔接。本发明还公开了可用于该熔接方法的金属纳米线油墨。本发明的金属纳米线油墨和光熔接方法，既显著提升金属纳米线透明电极电导率，又同时增加其透光率、降低其雾度、增强其抗氧化性和粘附性；并具有工艺简单、耗能低、成本低廉、可大面积实施的优点。
-
公开(公告)号：CN117739798B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311570645.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 暨南大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明涉及柔性电阻式应变传感器技术领域，目的之一在于提供一种柔性电阻式应变传感器的制备方法，以解决柔性传感器灵敏度差、制备工艺复杂的缺陷，包括以下步骤：S1.取金属纳米线溶液分散在极性溶剂中，得到金属纳米线分散液；S2.使用硫醇化合物金属纳米线分散液改性，制得改性金属纳米线分散液；S3.使用极性溶剂稀释改性金属纳米线分散液后，分离极性溶剂，以使改性金属纳米线分散液在基板上沉积出一层改性金属纳米线导电网络层；S4.将弹性聚合物浇铸在经步骤S3处理后的基板上，分离基板；S5.在经步骤S4处理后的改性金属纳米线导电网络层的两端分别连接引线，制得柔性电阻式应变传感器。本发明的再一目的在于提供上述制备方法制得的柔性传感器。
-
公开(公告)号：CN116772909A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310591457.3
申请日：2023-05-23
Applicant: 暨南大学
IPC: G01D5/353 , G01N21/552 , G01N21/41
Abstract: 本发明提供一种基于表面等离子体共振的强度调制光纤光电探测器，光电探测器包括共振区、电读出区和柔性基底，共振区和电读出区设置在柔性基底上；共振区用于检测环境折射率变化，从而产生光强变化，并将光进行强度调制后传输至电读出区；电读出区包括光纤模块和光电转换模块，光纤模块用于接收调制后的光强并传递给光电转换模块；光电转换模块检测光强的变化，引起电流变化，实现电读出效果；共振区和电读出区的光纤模块由一根光纤一体加工而成。与现有技术相比，本发明将共振效应和光电转换效应进行集成化，摆脱了传统光纤传感器中所需光谱仪的束缚，使得整体检测装置体积大大减少，便于携带运输，同时大大降低检测成本。
-
公开(公告)号：CN115718394A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211097630.6
申请日：2022-09-08
Applicant: 暨南大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明涉及一种基于非赫尔米特增强拓扑保护的混沌光源系统，包括光子零能模式产生模块和声子模式激发模块；所述光子零能模式产生模块，用于产生零能模式；所述声子模式激发模块，用于与所述零能模式非线性相互作用并产生声子，利用所述非线性相互作用的强度高于混沌光激发阈值，从而产生混沌光源。本发明利用光子零能模式，针对现有技术中光学芯片上混沌光源信号稳定性弱的不足，实现高稳定性的光学芯片混沌光源。本发明结构简单、稳定性强，能降低光学芯片系统研制的成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111721192B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010619785.6
申请日：2020-06-30
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及应变传感器技术领域，更具体地，涉及一种基于图形化诱导裂纹的应变传感器及其制备方法。一种基于图形化诱导裂纹的应变传感器，所述基于图形化诱导裂纹的应变传感器为多层结构，自下而上依次包括柔性衬底、脆性层、图形化力学导电敏感层；所述柔性衬底由柔性聚合物制成；所述脆性层中包含预裂纹；所述图形化力学导电敏感层材料由导电传感材料和光聚合交联剂组成；所述预裂纹对图形化力学导电敏感层的平行裂纹起诱导作用。采用本发明的制备方法无需对衬底进行破坏，加工难度低、过程快速、成本低，而制备出的柔性应变传感器的灵敏度高、传感性能好。
-
公开(公告)号：CN111710475A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010618299.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种消影的图案化透明导电电极制备方法，具体包括以下步骤：S1在衬底上沉积金属纳米线，形成金属纳米线交联网络层；S2采用巯基化合物对金属纳米线交联网络进行选择性修饰，改变金属纳米线交联网络层部分区域的热稳定性，在修饰与未修饰区域之间形成热稳定性差异，得到结构化修饰的交联网络层；S3对结构化修饰的交联网络层进行加热，在金属纳米线交联网络层热稳定性差的部位得到绝缘区域，在金属纳米线交联网络层热稳定性好的部位得到导电区域，形成消影的图案化透明导电电极。本方法制备的图案化导电电极图案与非图案区域的光学性能差异小，具备消影的特点，能满足实际应用中不可视透明电极的需求。
-
公开(公告)号：CN106842760B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201710134608.7
申请日：2017-03-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本专利涉及电光调制器件的技术领域，公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导，由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底，所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成，所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导，设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本专利制造工艺简单，且损耗低、稳定性强，兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性，能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。
-
-
公开(公告)号：CN106842760A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710134608.7
申请日：2017-03-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器件的技术领域，公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导，由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底，所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成，所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导，设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本发明制造工艺简单，且损耗低、稳定性强，兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性，能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
68
records
(took 0.01 seconds)
